类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：4.3A
　　导通电阻(Rds(on))：23mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　引脚数：3

APM9435-TR 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极电压下仅为 23mΩ，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
　　该器件的最大漏源电压为 30V，支持在中等功率应用中提供足够的电压裕量，确保在瞬态条件下不会发生击穿。
　　其最大连续漏极电流为 4.3A，适用于中高功率负载切换和 DC-DC 转换应用。　　此外，该 MOSFET 具有 ±20V 的栅极电压耐受能力，使其适用于多种栅极驱动电路设计，增强设计灵活性。
　　器件的热阻（RθJA）约为 89.3°C/W，在标准散热条件下可有效控制温升，确保长期稳定运行。
　　由于其低导通损耗和良好的热性能，APM9435-TR 在高效率电源转换器和负载开关应用中表现出色，同时具备较强的抗过载和瞬态电压能力。

APM9435-TR 主要应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。常见用途包括同步整流 DC-DC 转换器中的高边或低边开关，用于提高转换效率并降低发热。
　　它还可用于电池供电设备的负载开关控制，如便携式电子产品、笔记本电脑和智能设备中的电源管理模块。
　　此外，该器件适用于电机驱动、LED 照明调光、电源分配系统以及各种开关电源（SMPS）拓扑结构。
　　在工业控制和自动化系统中，APM9435-TR 可用于继电器替代、固态开关以及功率 MOSFET 阵列设计。
　　由于其优异的导通特性和封装散热能力，该器件也广泛用于需要高效能和高可靠性的车载电子系统，如车载充电器和 DC-DC 转换模块。

Si9435DY-T1-E3, IRF7434TRPBF, FDS6630A, AOD4134