时间：2025/12/28 12:16:28
阅读：9
APM7512NF是一款由Alpha and Omega Semiconductor（AOS）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于高效率、高密度电源系统的设计。APM7512NF封装为SO-8，适用于多种高频开关应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：12A
漏极-源极电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：10mΩ @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：13mΩ @ VGS=4.5V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SO-8
APM7512NF是一款采用先进Trench沟槽技术制造的N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了效率。
其10mΩ的RDS(on)在VGS=10V时表现优异，使其适用于需要高效能功率转换的应用场景，例如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。
该器件支持高达12A的连续漏极电流，并能在30V的漏极-源极电压下稳定工作，具有良好的电流处理能力。
此外，APM7512NF具备良好的热稳定性，采用SO-8封装，散热性能优越，适合在高密度PCB布局中使用。
其栅极驱动电压范围宽，支持4.5V至10V的栅极驱动电压，便于与多种控制器和驱动IC配合使用。
该MOSFET的高可靠性和优良的动态性能使其成为工业电源、电池管理系统、电机控制和消费类电子产品的理想选择。
APM7512NF广泛应用于各种电力电子系统中，包括但不限于：
? 高效DC-DC转换器
? 同步整流器
? 负载开关与电源管理
? 电机驱动与控制电路
? 电池管理系统（BMS）
? 服务器和通信设备电源
? 消费类电子产品中的功率控制模块
SiSS12DN,Si2312DS,AON6412
