时间：2025/7/31 5:00:38
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APM4317KC-TRG 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高效率。该器件适用于高频率开关应用，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。该 MOSFET 采用 SOT-23 封装，便于在紧凑型 PCB 设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ Vgs=4.5V；24mΩ @ Vgs=2.5V
功率耗散（Pd）：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：SOT-23
APM4317KC-TRG 具备多项优异特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在 Vgs=4.5V 时，Rds(on) 仅为 18mΩ，适用于高效能 DC-DC 转换器和同步整流器设计。
其次，该 MOSFET 支持高达 6A 的连续漏极电流，适用于中高功率负载应用，如电机驱动和电源开关。此外，其支持宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保在高温环境下仍能稳定运行，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
APM4317KC-TRG 采用 SOT-23 小型封装，节省 PCB 空间，适合高密度电路设计。其栅极驱动电压兼容低电压控制器，支持 2.5V 以上电压驱动，便于与现代低压微控制器或数字控制器配合使用。
此外，该器件具有良好的热稳定性和抗过载能力，内置的 ESD 保护结构提升了器件的可靠性和使用寿命。
APM4317KC-TRG 广泛应用于多种功率管理场景，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路、LED 照明控制和同步整流器等。由于其低导通电阻和高电流能力，该 MOSFET 在高效率、高频率开关电路中表现出色。此外，其小型 SOT-23 封装也使其适用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑、无人机和智能穿戴设备等。在汽车电子领域，APM4317KC-TRG 可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。
Si2302DS, FDN340P, AO3400A
