APM3055LUC-TUL 是一款由 Advanced Power Technology(简称 APT)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度和高速开关应用设计,适用于各种电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。APM3055LUC-TUL 采用先进的工艺技术制造,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,使其在高电流应用中表现出色。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):120A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):最大 4.5mΩ(在 Vgs=10V)
功率耗散(Pd):150W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:D2PAK(TO-263)
引脚数:3
栅极电荷(Qg):60nC(典型值,10V Vgs)
APM3055LUC-TUL 具备多项优良特性,首先是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件具有较高的电流处理能力,在 25°C 环境温度下最大漏极电流可达 120A,适合高功率应用。此外,APM3055LUC-TUL 的栅极电荷(Qg)较低,这意味着它在高频开关应用中能够减少开关损耗,从而进一步提高效率。该器件还具有良好的热稳定性和耐久性,其 D2PAK 封装支持优异的散热性能,确保在高负载条件下依然保持稳定工作。APM3055LUC-TUL 的栅源电压范围为 ±20V,提供了更大的设计灵活性,同时具备较强的抗过压能力。由于其先进的制造工艺,该 MOSFET 还表现出良好的抗雪崩能力,能够在瞬态高电压条件下保持可靠运行。此外,该器件的封装形式为表面贴装(SMD),便于自动化生产和节省 PCB 空间。
APM3055LUC-TUL 主要应用于需要高效能功率开关的电子系统中,例如:DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路、电源管理模块、服务器和电信设备的电源供应单元、负载开关以及各种高功率便携式设备。由于其高电流能力和低导通电阻,该 MOSFET 特别适合用于需要快速开关和高效率的现代电源转换系统。此外,在电动汽车(EV)充电系统、太阳能逆变器和工业自动化设备中,APM3055LUC-TUL 也常被用作主功率开关器件。
IRF1405, AUIRF1405, SiS434DN, APM434KUC-TUL