时间：2025/9/3 23:53:12
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APM2506NUC-TUL 是一款由 Advanced Power Technology（简称 APT）生产的 N 沟道功率 MOSFET，专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理系统等领域。APM2506NUC-TUL 采用无铅环保封装，符合 RoHS 标准。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：约 2.5mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
功率耗散（PD）：125W
输入电容（Ciss）：约 2400pF
上升时间（tr）：约 30ns
下降时间（tf）：约 18ns
APM2506NUC-TUL 功率 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流下具有极低的导通损耗，从而提升系统效率并减少发热。该器件的高耐压能力（VDS=60V）使其适用于多种中高功率应用，包括电源转换器、逆变器和负载开关。
其次，APM2506NUC-TUL 采用先进的沟槽式结构设计，优化了电流传导路径，提高了电流密度，同时降低了开关损耗。这使其在高频开关应用中表现出色，如同步整流、DC-DC 转换器和电机驱动电路。
此外，该 MOSFET 支持高达 80A 的连续漏极电流，能够在高负载条件下稳定运行。其宽工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其适用于严苛的工业和汽车环境。封装方面，TO-252（DPAK）封装具备良好的热管理和机械稳定性，有助于提高系统的可靠性和寿命。
最后，APM2506NUC-TUL 还具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，有助于在突发负载或短路情况下保护电路。其低栅极电荷（Qg）进一步降低了驱动损耗，使控制器更容易驱动，从而提高整体系统的能效。
APM2506NUC-TUL 主要应用于高效率功率转换系统，如服务器电源、电信设备电源、电池管理系统（BMS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的导通和开关性能使其成为高密度电源设计的理想选择，尤其适合需要高可靠性和高稳定性的工业和汽车应用。
SiR862DP-T1-GE3, IRF1405PBF, FDP86260, AUIRF1405S-7P
