APM2506NUC-TUL 是一款由 Advanced Power Technology(简称 APT)生产的 N 沟道功率 MOSFET,专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能,适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理系统等领域。APM2506NUC-TUL 采用无铅环保封装,符合 RoHS 标准。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):60V
漏极电流(ID):80A
导通电阻(RDS(on)):约 2.5mΩ(典型值,VGS=10V)
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
功率耗散(PD):125W
输入电容(Ciss):约 2400pF
上升时间(tr):约 30ns
下降时间(tf):约 18ns
APM2506NUC-TUL 功率 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特性。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保在高电流下具有极低的导通损耗,从而提升系统效率并减少发热。该器件的高耐压能力(VDS=60V)使其适用于多种中高功率应用,包括电源转换器、逆变器和负载开关。
其次,APM2506NUC-TUL 采用先进的沟槽式结构设计,优化了电流传导路径,提高了电流密度,同时降低了开关损耗。这使其在高频开关应用中表现出色,如同步整流、DC-DC 转换器和电机驱动电路。
此外,该 MOSFET 支持高达 80A 的连续漏极电流,能够在高负载条件下稳定运行。其宽工作温度范围(-55°C 至 175°C)使其适用于严苛的工业和汽车环境。封装方面,TO-252(DPAK)封装具备良好的热管理和机械稳定性,有助于提高系统的可靠性和寿命。
最后,APM2506NUC-TUL 还具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性,有助于在突发负载或短路情况下保护电路。其低栅极电荷(Qg)进一步降低了驱动损耗,使控制器更容易驱动,从而提高整体系统的能效。
APM2506NUC-TUL 主要应用于高效率功率转换系统,如服务器电源、电信设备电源、电池管理系统(BMS)、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的导通和开关性能使其成为高密度电源设计的理想选择,尤其适合需要高可靠性和高稳定性的工业和汽车应用。
SiR862DP-T1-GE3, IRF1405PBF, FDP86260, AUIRF1405S-7P