APM2321AAC-TRG是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺和封装技术。该器件适用于需要高效率、低导通电阻的应用场景,例如电源管理、电机驱动以及DC-DC转换器等。其优异的电气特性和热性能使得它在多种工业和消费电子领域中得到广泛应用。
这款芯片的主要特点是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。同时,APM2321AAC-TRG还具备良好的开关性能和耐受能力,能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vdss):30V
连续漏极电流(Id):28A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
栅极电荷(Qg):45nC
输入电容(Ciss):2960pF
输出电容(Coss):170pF
反向传输电容(Crss):28pF
结温范围:-55℃ to 150℃
1. 极低的导通电阻,降低功率损耗。
2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
3. 快速开关速度,减少开关损耗。
4. 增强型封装设计,优化散热性能。
5. 具备雪崩能量吸收能力,增强系统的可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
7. 良好的静电防护能力,提高使用中的稳定性。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器和升降压电路。
3. 汽车电子设备中的负载开关。
4. 工业电机驱动控制。
5. LED驱动器及电池保护电路。
6. 电信设备中的高效功率转换模块。
7. 各类便携式设备中的电源管理单元(PMU)。
APM2321AAC-TR,
IRF2321,
FDMF2321,
ON Semiconductor NTD2321N