时间：2025/7/25 19:58:34
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APM2095PU是一款由Advanced Power Technology（简称APT，现属于Microsemi公司）生产的高性能双N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的Trench工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和优异的热性能，适用于高效率功率转换和开关应用。APM2095PU采用14引脚DIP封装，适合需要紧凑设计和高效能的电子设备。
类型：MOSFET（双N沟道增强型）
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5.5A
导通电阻（Rds(on)）：38mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：14-DIP
APM2095PU具有多项显著的电气和热性能优势。其双N沟道MOSFET结构允许在单个封装中实现高效能的功率开关功能，从而减少电路中的元器件数量并提高整体可靠性。该器件的低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。
此外，APM2095PU具备高电流处理能力（连续漏极电流为5.5A），能够在高负载条件下稳定运行。其±20V的栅源电压范围提供了良好的抗过压能力，防止栅极损坏。采用Trench工艺，该MOSFET还具备快速开关速度和低门极电荷（Qg），适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
APM2095PU广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关。其高效率和紧凑的封装使其特别适用于空间受限的设计，如便携式设备、笔记本电脑电源适配器和LED驱动器。
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"IRF7314",
"Si4410BDY",
"NTMFS4816N",
"FDV304P"
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