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APL3510AXI-TRG 发布时间 时间:2025/7/1 20:02:20 查看 阅读:24

APL3510AXI-TRG 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率开关器件,专为高频、高效率应用设计。该器件采用增强型场效应晶体管(eGaN FET)技术,具有极低的导通电阻和快速的开关速度,适用于电源转换、DC-DC转换器、负载点电源等应用场景。
  这款芯片通过优化栅极驱动特性,显著降低了开关损耗,同时提高了系统的整体效率。其封装形式为小尺寸表面贴装类型,便于在高密度电路板中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:17nC
  反向恢复时间:无(由于 GaN 技术,无反向恢复特性)
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-Leadless 封装

特性

APL3510AXI-TRG 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗。
  2. 高速开关性能,支持高达数 MHz 的开关频率。
  3. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,提高系统可靠性。
  4. 基于 GaN 技术,具备零反向恢复电荷,减少开关节点振铃。
  5. 小尺寸封装,适合紧凑型设计。
  6. 支持高效软开关和硬开关拓扑结构。
  该器件在高频开关应用中表现出色,是传统硅基 MOSFET 的理想替代方案。

应用

APL3510AXI-TRG 广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC 转换器:
   - 中高功率密度的负载点电源
   - 电信和数据通信设备中的电源模块
  2. 电机驱动:
   - 无人机、机器人和其他小型电动设备
  3. 消费类电子:
   - 笔记本电脑适配器
   - 快速充电器
  4. 工业自动化:
   - 高效开关电源
   - 开关式功率放大器
  该芯片凭借其优异的性能,在需要高效率和高频工作的场景中得到了广泛应用。

替代型号

APL3510AXI-TRPbF, APL3510AXT-TRG

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