APL3510AXI-TRG 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率开关器件,专为高频、高效率应用设计。该器件采用增强型场效应晶体管(eGaN FET)技术,具有极低的导通电阻和快速的开关速度,适用于电源转换、DC-DC转换器、负载点电源等应用场景。
这款芯片通过优化栅极驱动特性,显著降低了开关损耗,同时提高了系统的整体效率。其封装形式为小尺寸表面贴装类型,便于在高密度电路板中使用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:42A
导通电阻:8mΩ
栅极电荷:17nC
反向恢复时间:无(由于 GaN 技术,无反向恢复特性)
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-Leadless 封装
APL3510AXI-TRG 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗。
2. 高速开关性能,支持高达数 MHz 的开关频率。
3. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,提高系统可靠性。
4. 基于 GaN 技术,具备零反向恢复电荷,减少开关节点振铃。
5. 小尺寸封装,适合紧凑型设计。
6. 支持高效软开关和硬开关拓扑结构。
该器件在高频开关应用中表现出色,是传统硅基 MOSFET 的理想替代方案。
APL3510AXI-TRG 广泛应用于以下领域:
1. DC-DC 转换器:
- 中高功率密度的负载点电源
- 电信和数据通信设备中的电源模块
2. 电机驱动:
- 无人机、机器人和其他小型电动设备
3. 消费类电子:
- 笔记本电脑适配器
- 快速充电器
4. 工业自动化:
- 高效开关电源
- 开关式功率放大器
该芯片凭借其优异的性能,在需要高效率和高频工作的场景中得到了广泛应用。
APL3510AXI-TRPbF, APL3510AXT-TRG