API840N 时间：2025/12/29 13:54:29 阅读：17

API840N是一款由Advanced Power Technology（简称APT）推出的高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率应用设计，具备优异的导通性能和快速开关特性，适用于工业电源、DC-DC转换器、电机驱动和功率放大器等场景。其采用TO-220AB封装形式，具备良好的热管理和电气性能，适合在高电流和高温环境下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：40A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（典型值）
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

API840N具有多项显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为35mΩ，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。这在高电流应用中尤为重要，例如DC-DC转换器和电源管理系统。
　　其次，该器件支持高达40A的连续漏极电流和60V的最大漏源电压，适用于中高功率级别的应用。此外，API840N具备优良的热稳定性，其封装设计允许快速散热，确保在高温环境下仍能稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，提高了设计的灵活性，并可兼容多种驱动电路。其快速开关特性降低了开关损耗，提高了整体系统的能效，适用于高频开关电源和PWM控制电路。
　　另外，API840N的结构设计优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于降低系统噪声并提高整体电磁兼容性（EMC），在工业和汽车电子应用中尤为重要。

应用

API840N广泛应用于多种功率电子系统中。在工业领域，它常用于高频开关电源、DC-DC降压/升压转换器以及不间断电源（UPS）系统中，以实现高效、稳定的能量转换。
　　在电机控制和驱动电路中，API840N的高电流承载能力和快速响应特性使其适用于直流电机、步进电机及伺服系统的功率驱动模块。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器和储能系统，能够提供可靠的高功率开关能力。
　　在汽车电子方面，API840N可用于车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等应用，满足严苛的环境要求。