类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：95A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大11.5mΩ（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：320W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247
　　晶体管配置：单管

APG095N01K具备多项优异的电气和热性能特性，能够满足高功率应用的严苛需求。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下仍然保持较低的导通损耗，提高系统整体效率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式工艺技术，增强了电流处理能力，并优化了开关性能，从而降低了开关损耗。此外，APG095N01K具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和寿命。APG095N01K还具备较强的短路耐受能力，可在瞬态过载条件下保持稳定工作。该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为+10V至+20V），可与多种驱动电路兼容，便于设计和集成。
　　APG095N01K在设计上考虑了电磁干扰（EMI）控制，通过优化内部结构和布局，减少高频开关时的噪声产生。同时，其快速恢复的体二极管特性也有助于提升在同步整流等应用中的性能表现。此外，该MOSFET的高雪崩能量耐受能力使其在异常工作条件下仍能保持良好的稳定性，提高系统的鲁棒性。

APG095N01K广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电源、服务器电源、电信设备、DC-DC转换器、电动工具、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、储能系统以及新能源汽车相关设备。在DC-DC转换器中，APG095N01K可用于高侧或低侧开关，提供高效的功率转换能力；在电机驱动系统中，它能够承受较大的瞬态电流，确保电机运行的稳定性和响应速度；在电池管理系统中，该器件可作为主开关或保护开关，实现对电池组的高效管理与控制。此外，APG095N01K也可用于逆变器、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等应用，满足高效、高可靠性功率转换的需求。

SiHF95N10, IRF9530, FDP095N10, IPB095N10N