APD260VRTR-G1 时间：2025/10/31 15:47:05 阅读：6

APD260VRTR-G1是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有优良的开关特性和导通电阻性能。该器件专为高效率电源管理应用而设计，适用于便携式设备、电池供电系统以及需要低功耗和小型封装的场合。其SOT-23（SC-70）封装形式使得它在空间受限的应用中具有显著优势，同时保持良好的热性能和电气性能。该MOSFET在栅极电压较低的情况下仍能实现有效的导通控制，适合用于逻辑电平驱动的应用场景。由于其出色的可靠性与稳定性，APD260VRTR-G1广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制系统中。

参数

型号：APD260VRTR-G1
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23 (SC-70)
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：-400mA
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-1.2A
　　导通电阻(RDS(on))：最大值550mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：最大值750mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(Vth)：典型值-0.9V，范围-0.65V ~ -1.2V
　　输入电容(Ciss)：约120pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

APD260VRTR-G1采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备优异的导通电阻与栅极电荷平衡特性，能够在小尺寸封装下提供高效的功率切换能力。其P沟道结构允许在高端开关配置中直接驱动负载，特别适用于电池供电设备中的电源开关或负载开关控制。
　　该器件的关键优势之一是其低阈值电压特性，使其可以在较低的栅极驱动电压下可靠地开启，从而兼容3.3V甚至更低的逻辑电平系统，减少了对外部电平转换电路的需求。此外，在-4.5V和-2.5V的栅源电压条件下，其RDS(on)分别仅为550mΩ和750mΩ，确保了在轻载和中等负载条件下的低功耗表现。
　　得益于SOT-23小型化封装，APD260VRTR-G1非常适合用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对PCB面积敏感的产品中。尽管体积小巧，但其热设计经过优化，能够通过PCB散热路径有效传递热量，维持长期稳定运行。
　　该MOSFET还具备良好的抗静电能力（ESD保护），增强了在实际生产与使用过程中的鲁棒性。同时，其快速的开关响应时间有助于减少开关损耗，提升整体系统效率。器件符合RoHS环保标准，并且无卤素，满足现代绿色电子产品的制造要求。
　　APD260VRTR-G1在制造过程中采用了可靠的背面金属化技术和引线键合工艺，提升了机械强度与热循环耐久性，适用于各种严苛环境下的应用。其宽泛的工作结温范围（最高达+150°C）也使其可在高温工业环境中稳定工作。

应用

APD260VRTR-G1常用于各类低电压、低电流的电源管理场景，如便携式电子设备中的电池开关、负载开关、电源路径管理模块等。它也广泛应用于USB电源控制、DC-DC转换器的同步整流或关断电路、LED背光驱动的开关控制以及各类待机电源管理系统中。
　　在移动设备中，该器件可用于实现“软启动”功能，防止上电瞬间产生过大的浪涌电流，从而保护后级电路。此外，由于其支持逻辑电平驱动，常被集成于微控制器I/O口直接控制的开关电路中，简化系统设计并降低成本。
　　在通信模块中，APD260VRTR-G1可用于射频前端电源的启停控制，实现按需供电以节省能耗。在传感器模块或外围设备的电源管理中，它可以作为独立的使能开关，配合主控芯片实现精细化的功耗管理策略。
　　该器件还可用于H桥或半桥拓扑中的高端驱动部分，特别是在需要P沟道MOSFET简化驱动设计的场合。其小型封装也使其成为多层高密度PCB布局的理想选择，尤其适合自动化贴片生产线的大规模应用。