AP9T18GH 时间：2025/6/26 19:34:04 阅读：4

AP9T18GH 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管，适用于高频开关和高效率电源转换应用。该器件采用了先进的 GaN 工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压的特点，适合用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。
　　这款 GaN 功率晶体管通过优化栅极驱动设计，能够显著降低开关损耗并提升整体系统效率。同时，其紧凑的封装形式使其非常适合对空间要求较高的应用环境。

参数

类型：增强型场效应晶体管 (E-Mode FET)
　　导通电阻 (Rds(on))：30 mΩ
　　最大漏源电压 (Vds)：650 V
　　最大栅源电压 (Vgs)：+6 V / -10 V
　　连续漏极电流 (Id)：18 A
　　脉冲漏极电流 (Isp)：45 A
　　开关频率：最高支持 MHz 级别
　　封装形式：TO-247 或表面贴装（具体根据实际版本）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

1. 基于氮化镓技术，提供卓越的开关性能和低导通电阻。
　　2. 高击穿电压 (650V)，确保在高压应用场景中的可靠性。
　　3. 支持高频操作，减少磁性元件体积，从而节省系统成本。
　　4. 具备快速开关能力，有效降低开关损耗。
　　5. 内置保护功能（如过流保护和短路保护），提高系统安全性。
　　6. 采用高效的热管理设计，确保长期稳定运行。
　　7. 封装兼容性强，便于直接替换传统硅基 MOSFET。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
　　2. DC-DC 转换器及逆变器。
　　3. 高效电机驱动和工业自动化设备。
　　4. 数据中心服务器电源模块。
　　5. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源相关设备。
　　6. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器 (OBC)。
　　7. 快速充电适配器和消费类电子产品电源解决方案。