AP9T16GH 时间：2025/5/13 17:58:12 阅读：2

AP9T16GH是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于多种电力电子应用场合，包括开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等。其设计旨在降低功耗并提高系统效率。

参数

型号：AP9T16GH
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220
　　最大漏源电压(Vds)：90V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　持续漏极电流(Id)：16A
　　导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：140W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

AP9T16GH具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少传导损耗。
　　2. 高速开关性能，适合高频应用。
　　3. 提供优异的热稳定性，能够承受极端温度环境。
　　4. 内置反向二极管，支持续流功能。
　　5. 强大的雪崩能量能力，提升系统的鲁棒性。
　　6. 符合RoHS标准，绿色环保。
　　这些特点使得AP9T16GH成为高效功率转换的理想选择。

应用

AP9T16GH广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器和充电器。
　　2. 各类电机驱动电路，例如步进电机和无刷直流电机控制。
　　3. DC-DC转换器和降压/升压模块。
　　4. 汽车电子设备中的负载切换。
　　5. 工业自动化设备的功率管理。
　　6. LED照明驱动电路。
　　由于其卓越的性能，这款MOSFET特别适合需要高效能和高可靠性的场景。