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AP9960GM-HF 发布时间 时间:2025/7/23 0:16:47 查看 阅读:9

AP9960GM-HF 是一款由 Diodes 公司生产的双通道、高边 N 沟道 MOSFET 驱动器芯片,采用 TSSOP 封装,适用于高效率电源管理应用。该器件专为驱动两个外部 N 沟道 MOSFET 设计,广泛用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统中。AP9960GM-HF 支持宽输入电压范围,具备低静态电流、高工作频率和多种保护功能,适用于对效率和稳定性要求较高的系统。

参数

类型:高边 N 沟道 MOSFET 驱动器
  通道数:2 通道
  封装类型:TSSOP-16
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  驱动电压:12V(典型)
  工作频率:最高可达 1MHz
  输出峰值电流:340mA(典型)
  静态电流:20μA(典型)
  过温保护(OTP):有
  欠压锁定(UVLO):有
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

AP9960GM-HF 具备多项高性能特性,使其适用于复杂和高效率的电源系统。首先,其双通道设计允许独立控制两个外部 N 沟道 MOSFET,适用于同步整流拓扑结构中的高端开关应用。该器件支持 4.5V 至 18V 的宽输入电压范围,适用于多种电源系统,包括电池供电设备和工业电源。其驱动电压为 12V(典型),可有效驱动多个 MOSFET 器件,确保快速开关并降低开关损耗。
  该芯片支持高达 1MHz 的工作频率,适用于高频开关应用,有助于减小外部元件尺寸并提高系统效率。输出峰值电流为 340mA(典型),确保驱动能力足够强,适用于驱动多个或高栅极电荷的 MOSFET。此外,AP9960GM-HF 的静态电流仅为 20μA(典型),在待机或轻载状态下有助于降低功耗,提高整体能效。
  在保护功能方面,AP9960GM-HF 集成了过温保护(OTP)和欠压锁定(UVLO)功能,能够在异常条件下自动关闭输出,防止器件损坏。这些保护机制提升了系统的可靠性和稳定性,特别适用于恶劣环境或长时间运行的应用场景。
  AP9960GM-HF 采用 TSSOP-16 封装,具备良好的热性能和空间效率,适合高密度 PCB 设计。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于工业级和汽车电子应用。

应用

AP9960GM-HF 主要应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统。常见应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路、电源管理单元(PMU)以及各种工业和汽车电子系统。其高边驱动能力和双通道设计使其特别适用于需要独立控制多个 MOSFET 的场合,例如多相电源或冗余电源系统。此外,AP9960GM-HF 的低静态电流特性也使其适用于电池供电设备和低功耗系统。

替代型号

TC4420CPA, LM5114MMX/NOPB, NCP81071DR2G

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