AP9960GM-HF 时间：2025/7/23 0:16:47 阅读：9

AP9960GM-HF 是一款由 Diodes 公司生产的双通道、高边 N 沟道 MOSFET 驱动器芯片，采用 TSSOP 封装，适用于高效率电源管理应用。该器件专为驱动两个外部 N 沟道 MOSFET 设计，广泛用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统中。AP9960GM-HF 支持宽输入电压范围，具备低静态电流、高工作频率和多种保护功能，适用于对效率和稳定性要求较高的系统。

参数

类型：高边 N 沟道 MOSFET 驱动器
　　通道数：2 通道
　　封装类型：TSSOP-16
　　输入电压范围：4.5V 至 18V
　　驱动电压：12V（典型）
　　工作频率：最高可达 1MHz
　　输出峰值电流：340mA（典型）
　　静态电流：20μA（典型）
　　过温保护（OTP）：有
　　欠压锁定（UVLO）：有
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

AP9960GM-HF 具备多项高性能特性，使其适用于复杂和高效率的电源系统。首先，其双通道设计允许独立控制两个外部 N 沟道 MOSFET，适用于同步整流拓扑结构中的高端开关应用。该器件支持 4.5V 至 18V 的宽输入电压范围，适用于多种电源系统，包括电池供电设备和工业电源。其驱动电压为 12V（典型），可有效驱动多个 MOSFET 器件，确保快速开关并降低开关损耗。
　　该芯片支持高达 1MHz 的工作频率，适用于高频开关应用，有助于减小外部元件尺寸并提高系统效率。输出峰值电流为 340mA（典型），确保驱动能力足够强，适用于驱动多个或高栅极电荷的 MOSFET。此外，AP9960GM-HF 的静态电流仅为 20μA（典型），在待机或轻载状态下有助于降低功耗，提高整体能效。
　　在保护功能方面，AP9960GM-HF 集成了过温保护（OTP）和欠压锁定（UVLO）功能，能够在异常条件下自动关闭输出，防止器件损坏。这些保护机制提升了系统的可靠性和稳定性，特别适用于恶劣环境或长时间运行的应用场景。
　　AP9960GM-HF 采用 TSSOP-16 封装，具备良好的热性能和空间效率，适合高密度 PCB 设计。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

AP9960GM-HF 主要应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统。常见应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源管理单元（PMU）以及各种工业和汽车电子系统。其高边驱动能力和双通道设计使其特别适用于需要独立控制多个 MOSFET 的场合，例如多相电源或冗余电源系统。此外，AP9960GM-HF 的低静态电流特性也使其适用于电池供电设备和低功耗系统。