AP9871GH-HF 时间：2025/7/25 16:27:27 阅读：8

AP9871GH-HF是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻和高功率效率的特点。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等领域。AP9871GH-HF采用TSSOP-8封装，适用于高密度、高性能的电子设计需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：10A
　　导通电阻(RDS(on))：13mΩ @ VGS=10V, 20mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散(PD)：3.2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSSOP-8

特性

AP9871GH-HF具备优异的导通性能和开关特性，适用于高效率电源转换系统。其低导通电阻RDS(on)可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在10A电流下工作时，压降极小，有助于降低发热，提高系统稳定性。此外，AP9871GH-HF支持高达±20V的栅极电压，增强了抗电压波动能力，适用于多种电压调节场景。
　　该MOSFET采用TrenchFET技术，使芯片内部结构更紧凑，提高了电流密度和热稳定性。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频PWM控制应用。AP9871GH-HF还内置了防静电保护（ESD）和热保护功能，提升了器件的可靠性。
　　在封装方面，TSSOP-8封装不仅体积小巧，适合高密度PCB布局，而且具有良好的散热性能，适用于空间受限但对性能有较高要求的应用场景。该封装也便于自动化生产和SMT贴片工艺，提高了生产效率。

应用

AP9871GH-HF广泛应用于各类电源管理系统，如同步整流、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池充电与管理系统、电机驱动电路以及电源管理IC（PMIC）的外围电路。此外，该器件也适用于工业自动化控制、通信设备电源模块、便携式电子设备以及汽车电子系统中的功率控制模块。
　　在同步整流器中，AP9871GH-HF可以有效替代传统二极管整流器，提升转换效率并降低功耗。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于主开关或同步开关，提高系统的整体能效。作为负载开关使用时，其低导通电阻可降低压降，延长电池续航时间。在电池管理系统中，AP9871GH-HF可用于电池充放电控制，确保电池组的安全运行。
　　由于其高频开关特性和良好的热性能，该MOSFET也适用于PWM电机控制和LED驱动应用，能够实现精确的电流控制和稳定的输出性能。