型号：AP9569GM
　　制造商：Diodes Incorporated
　　通道数：2
　　输入电压范围：4.5V ~ 18V
　　输出电压范围：0.8V ~ 5.5V（可调）
　　最大输出电流：2A per channel
　　开关频率：500kHz（可调）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：QFN-20L
　　控制方式：电流模式PWM控制
　　静态电流：约30μA（关断模式）
　　待机电流：小于1μA（使能关闭）
　　反馈参考电压：0.8V ±1%
　　集成MOSFET：是（上下管均集成）
　　软启动功能：有（外部电容可调）
　　保护功能：过流保护、过温保护、输出短路保护

AP9569GM采用双通道同步整流架构，每个通道均集成了高侧和低侧N沟道MOSFET，消除了对外部分立功率MOSFET的需求，简化了外围电路设计并提高了整体效率。其电流模式控制环路提供了卓越的线路和负载瞬态响应性能，能够快速调整占空比以应对输入电压波动或负载突变，维持输出电压的稳定。该芯片支持外部频率同步功能，允许用户将开关频率锁定到外部时钟源，避免多个电源模块之间的拍频干扰，特别适用于多电源轨系统。每个通道都具备独立的使能（EN）引脚和电源良好（PGOOD）指示信号，便于实现上电时序控制和系统监控。AP9569GM内置精密的0.8V基准电压源，精度可达±1%，确保输出电压设定的准确性。通过外部分压电阻网络，用户可轻松设定所需的输出电压值。软启动时间可通过外部电容进行编程，有效限制启动过程中的浪涌电流，防止输入电源跌落。在轻载条件下，芯片自动进入节能模式（PSM），动态调节开关频率以维持高效率，同时降低静态功耗，延长电池寿命。该器件还具备打嗝模式下的短路保护机制，在检测到输出短路后会周期性地尝试重启，避免持续过热损坏。所有这些特性使得AP9569GM成为高性能、高可靠性的电源解决方案。
　　此外，AP9569GM在PCB布局上进行了优化设计，关键信号路径短且对称，减少了寄生电感和电磁辐射。其QFN封装具有优良的散热性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB接地层高效导热。芯片内部集成了自举二极管，进一步减少了外部元件数量。整个控制系统采用电压前馈技术，增强了对输入电压变化的抑制能力。由于其宽输入电压范围，AP9569GM可兼容12V和5V系统总线电压，适用于多种供电环境。在多相或多轨应用中，AP9569GM可以与其他同类器件并联使用或级联工作，构建复杂的电源树结构。其出色的动态响应能力和低输出纹波特性，使其非常适合为高速数字逻辑电路如DSP、微控制器和内存模块供电。整体而言，AP9569GM在集成度、效率、稳定性和灵活性方面达到了良好平衡，是现代电子系统中理想的双路降压电源IC选择。

AP9569GM适用于多种需要双路高效直流电源的电子系统，典型应用场景包括工业自动化控制板、网络通信设备、消费类电子产品如平板电脑和智能显示器、车载信息娱乐系统以及测试与测量仪器。在FPGA和SoC供电方案中，常用于为核心电压、I/O电压或辅助电源轨提供稳定低压大电流输出。此外，也广泛用于服务器主板、嵌入式计算平台和LED驱动电源模块中。由于其高集成度和小尺寸封装，特别适合空间受限的便携式设备设计。

AP9569GTR