AP94T07GJ-HF是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和负载开关等电路中。该器件采用先进的Trench沟槽技术,以实现低导通电阻和高效率。AP94T07GJ-HF-HF为无铅和符合RoHS标准的环保产品,适用于各种高性能和高效能的电子设备。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):20V
最大漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ @ Vgs=10V, 7.8mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散(Pd):48W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
AP94T07GJ-HF的主要特性包括低导通电阻、高电流容量以及优异的热性能。由于采用先进的Trench沟槽技术,该MOSFET能够显著降低导通损耗,提高系统效率。其低Rds(on)特性使其适用于高负载电流的应用,同时具备较低的开关损耗,有助于提高整体电源系统的性能。
此外,AP94T07GJ-HF采用了TO-252(DPAK)封装形式,该封装具备良好的散热能力,确保在高功率应用中能够稳定工作。器件符合RoHS标准且无卤素,满足环保设计需求。其栅极设计支持常见的逻辑电平驱动,适用于多种控制电路环境,包括DC-DC转换器、电机驱动和负载开关电路等应用场景。
在可靠性方面,AP94T07GJ-HF经过严格的设计和测试,确保其在高温和高应力环境下依然能够保持稳定的性能。该器件的栅极氧化层设计提供了更高的耐用性和抗静电能力,延长了使用寿命。
AP94T07GJ-HF主要应用于电源管理领域,包括同步整流器、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、负载开关、电源适配器和电源模块等。由于其高效率和低导通电阻特性,该器件也常用于工业自动化设备、消费类电子产品和通信设备中的电源控制部分。
在汽车电子领域,AP94T07GJ-HF可用于车载电源系统、电动工具和电动车的电机控制模块中,为系统提供高效、可靠的功率控制能力。此外,该MOSFET还可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和LED照明驱动电路等高要求的应用场景。
SiS432DN, IRF3703PBF, FDS4435B, AP94T07GL-HF