AP9467GJ-HF 时间：2025/9/2 5:50:43 阅读：4

AP9467GJ-HF 是由 Diodes 公司生产的一款高性能双 N 沟道增强型 MOSFET，广泛用于需要高效率和低功耗的应用场景。这款芯片采用先进的 Trench MOS 工艺制造，提供优异的导通电阻和开关性能，适用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器、马达驱动和电池供电设备等。AP9467GJ-HF 采用小型化的 SOP-8 封装，具备良好的热性能和空间利用率。

参数

类型：MOSFET（双 N 沟道）
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5.6A（@VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（@VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

AP9467GJ-HF 的核心特性之一是其双 N 沟道 MOSFET 结构，能够在一个封装中集成两个高性能的 MOSFET，从而减少 PCB 空间占用并提高系统集成度。该器件的低导通电阻（RDS(on)）使其在高电流应用中具有更低的功率损耗，有助于提升整体系统效率。此外，AP9467GJ-HF 支持高达 ±20V 的栅极电压，提高了其在不同应用环境中的适用性和稳定性。
　　该 MOSFET 还具备良好的热性能，SOP-8 封装设计支持高效的散热管理，使其能够在较高的工作温度下稳定运行。AP9467GJ-HF 符合 RoHS 环保标准，并具有无卤素的环保特性，适用于各种环保型电子产品设计。
　　在开关性能方面，AP9467GJ-HF 具有快速的导通和关断时间，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用。其优异的动态性能使其在 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等高频应用中表现出色。

应用

AP9467GJ-HF 主要应用于需要高效率、小体积和高性能的电源管理系统中。例如，在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中，AP9467GJ-HF 可用作负载开关或 DC-DC 转换器，以实现高效的电源管理。在电池管理系统中，它可用于电池充放电控制和保护电路。
　　此外，该器件也广泛用于工业自动化设备、电机驱动器、LED 照明驱动器以及各种低电压高电流的电源转换装置。由于其出色的热性能和高频响应能力，AP9467GJ-HF 非常适合用于需要频繁开关操作的应用场景。