时间：2025/9/2 8:40:59
阅读：11
AP9467AGM是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET，适用于负载开关、电源管理以及DC-DC转换等应用。该器件采用TSSOP封装，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热性能，适用于多种便携式电子设备和电源管理系统。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：-20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：-4.6A
导通电阻(Rds(on))：42mΩ @ Vgs = -4.5V；55mΩ @ Vgs = -2.5V
功耗(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TSSOP
AP9467AGM具有较低的导通电阻，能够在高负载条件下提供高效的功率传输。其快速开关特性和低栅极电荷使其适用于高频开关应用，减少了开关损耗。此外，该器件具有良好的热稳定性，在高功率应用中能够保持稳定性能。TSSOP封装设计使其适用于紧凑型电路板布局，广泛应用于便携式设备和电源管理系统。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持-2.5V至-4.5V的栅源电压，适应多种控制电路需求。其高可靠性设计确保在恶劣工作环境下仍能保持稳定运行。此外，AP9467AGM还具有良好的短路耐受能力和过温保护特性，进一步增强了系统的安全性与稳定性。
AP9467AGM广泛应用于负载开关、电池供电设备、电源管理单元、DC-DC转换器、电机驱动电路以及各种需要高效能P沟道MOSFET的电子系统中。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于需要高效率和紧凑设计的便携式电子产品。
AP9467AGM的替代型号包括AO4467、Si4467DY、FDC6467等P沟道MOSFET器件。
