AP90T03H 时间：2025/12/29 13:59:17 阅读：16

AP90T03H是一款由Diodes公司生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于高效率、高密度的电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：90A
　　导通电阻(Rds(on))：3.3mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散(Pd)：134W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

AP90T03H采用先进的沟槽技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。
　　该器件具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达90A，适用于高功率密度的应用场景。
　　其栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至20V），使其兼容多种驱动电路，包括低压控制电路。
　　AP90T03H的封装形式为TO-252（也称为DPAK），具有良好的散热性能，适合表面贴装，便于自动化生产和散热管理。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下稳定运行，适用于严苛的工业和汽车电子环境。
　　此外，AP90T03H具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。

应用

AP90T03H广泛应用于各类电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。
　　在服务器电源、电信设备电源和工业电源系统中，AP90T03H常用于高效同步整流电路，以提高电源转换效率并降低发热。
　　由于其高电流能力和低导通电阻特性，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、电源分配系统以及负载开关控制电路。
　　此外，AP90T03H还可用于电机驱动应用，如电动工具、电动车和工业自动化设备中的功率控制部分。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、车身控制模块和电动助力转向系统等应用场景。
　　对于需要高可靠性和高效率的嵌入式系统，AP90T03H也是一个理想的选择。