AP90T03GHR 时间：2025/7/8 10:34:34 阅读：9

AP90T03GHR是一款由Diodes公司生产的高性能、低导通电阻的P沟道MOSFET，采用TO-263-3封装形式。该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)），在逻辑电平驱动下表现出优异的性能，适用于多种电源管理和开关应用。其额定电压为30V，最大连续漏极电流可达54A（在特定条件下），因此适合需要高效率和高电流承载能力的应用场景。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　封装：TO-263-3
　　额定电压：30V
　　最大连续漏极电流：54A
　　导通电阻（典型值）：3.2mΩ
　　栅极电荷：31nC
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

AP90T03GHR具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保了在高电流应用中降低功耗和提高效率。
　　2. 高温适应性，能够在-55℃至175℃的宽温度范围内稳定工作。
　　3. 快速开关特性，得益于较低的栅极电荷，可有效减少开关损耗。
　　4. 稳定可靠的性能表现，特别适合于汽车电子和其他要求严苛的工业环境。
　　5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计，满足现代电子产品的环保需求。

应用

AP90T03GHR广泛应用于各种高效率功率转换和负载切换场景，包括但不限于：
　　1. 汽车电子系统中的负载切换和电机控制。
　　2. 工业设备中的电源管理模块。
　　3. DC/DC转换器和降压稳压器。
　　4. 电池管理系统中的保护电路。
　　5. 多种高电流开关应用，如LED驱动器和通信电源系统。