AP90T03GHR是一款由Diodes公司生产的高性能、低导通电阻的P沟道MOSFET,采用TO-263-3封装形式。该器件具有极低的导通电阻(Rds(on)),在逻辑电平驱动下表现出优异的性能,适用于多种电源管理和开关应用。其额定电压为30V,最大连续漏极电流可达54A(在特定条件下),因此适合需要高效率和高电流承载能力的应用场景。
类型:P沟道MOSFET
封装:TO-263-3
额定电压:30V
最大连续漏极电流:54A
导通电阻(典型值):3.2mΩ
栅极电荷:31nC
工作温度范围:-55℃至175℃
AP90T03GHR具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保了在高电流应用中降低功耗和提高效率。
2. 高温适应性,能够在-55℃至175℃的宽温度范围内稳定工作。
3. 快速开关特性,得益于较低的栅极电荷,可有效减少开关损耗。
4. 稳定可靠的性能表现,特别适合于汽车电子和其他要求严苛的工业环境。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计,满足现代电子产品的环保需求。
AP90T03GHR广泛应用于各种高效率功率转换和负载切换场景,包括但不限于:
1. 汽车电子系统中的负载切换和电机控制。
2. 工业设备中的电源管理模块。
3. DC/DC转换器和降压稳压器。
4. 电池管理系统中的保护电路。
5. 多种高电流开关应用,如LED驱动器和通信电源系统。
AP90T03GHR-D3
IXFH50N30P3
IRF9540NPbF