型号：AP80N30W
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：300V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：80A
　　脉冲漏极电流（Idm）：320A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs=10V）：0.085Ω
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs=5V）：0.11Ω
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：4200pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：1000pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：55ns
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-247

AP80N30W具备出色的电气特性和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合，有效降低了导通损耗，提升了电源系统的整体能效。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为85mΩ，这意味着在大电流工作状态下仍能保持较小的功率损耗，减少发热，延长系统寿命。此外，其高达300V的漏源击穿电压使其适用于多种离线式开关电源设计，包括AC-DC适配器、LED驱动电源和逆变器等高压应用场景。
　　该MOSFET采用先进的平面工艺制造，确保了良好的均匀性和批次稳定性，从而在大规模生产中提供一致的性能表现。其栅极结构经过优化，输入电容（Ciss）为4200pF，配合较低的栅极电荷（Qg），使得驱动电路所需的驱动功率更小，有利于实现高频开关操作，降低磁性元件体积，提升功率密度。同时，输出电容（Coss）较低，有助于减少关断过程中的能量损耗，进一步提升转换效率。
　　在可靠性方面，AP80N30W具备优良的抗雪崩能力和重复雪崩额定值，能够在突发过压或感性负载切换过程中保护自身不受损坏。其最大结温可达150°C，并支持宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），适应严苛的工业环境。TO-220或TO-247封装形式提供了良好的热传导路径，可通过外接散热片将热量迅速导出，保障长时间满负荷运行的稳定性。
　　此外，该器件还具备快速开关响应能力，反向恢复时间（trr）仅为55ns，显著降低了体二极管在续流过程中的反向恢复电荷，避免了由此引起的电压尖峰和EMI问题，特别适合用于同步整流和半桥拓扑结构中。综合来看，AP80N30W凭借其高性能参数、稳健的封装设计和广泛的适用性，成为现代高效能功率转换系统中的关键组件。

AP80N30W广泛应用于各类需要高电压、大电流开关能力的电力电子设备中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC和DC-DC转换器，特别是在反激式、正激式和LLC谐振变换器中作为主开关管使用。其300V耐压等级适合在通用输入电压（85VAC~265VAC）条件下工作，满足全球电网要求，因此被大量用于笔记本电脑适配器、电视电源板和家用电器内置电源模块。
　　在LED照明领域，AP80N30W常用于恒流驱动电源设计，尤其是在大功率LED路灯、工业照明和户外灯具中，承担功率调节和开关控制功能。得益于其低导通电阻和高效率特性，有助于实现更高的发光效率和更低的温升，提升灯具整体寿命。
　　此外，该器件也适用于电机驱动系统，例如小型家电中的直流无刷电机控制、电动工具和风扇驱动电路，能够高效地完成PWM调速任务。在逆变器和UPS不间断电源系统中，AP80N30W可用于DC-AC转换级的功率开关，支持纯正弦波或方波输出，具备良好的动态响应能力。
　　工业自动化设备中的电源模块、电池充电器、焊接设备以及太阳能微逆变器等也是其典型应用领域。由于其具备较强的抗干扰能力和热稳定性，AP80N30W在恶劣工况下仍能保持可靠运行，是中等功率等级（100W~1kW）应用的理想选择。

STP80NF30
　　FQP80N30
　　KSE80N30