AP50T10GM-HF 时间：2025/12/29 13:51:21 阅读：16

AP50T10GM-HF 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、高频开关应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关和电源管理系统等领域。AP50T10GM-HF 的封装形式为 TDFN5x6，符合 RoHS 标准且无卤素。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：100A
　　最大漏-源电压（Vds）：100V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：10.8mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：14.8mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极电荷（Qg）：60nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TDFN5x6

特性

AP50T10GM-HF 具有优异的导通和开关性能，主要归功于其先进的沟槽式 MOSFET 技术和优化的设计结构。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）在 10.8mΩ（Vgs=10V）和 14.8mΩ（Vgs=4.5V）之间，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率，尤其适用于大电流应用，如服务器电源、通信设备和电池管理系统。
　　其次，该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为 60nC，属于中等水平，这有助于在高频开关应用中降低开关损耗。同时，其最大漏极电流高达 100A，在高功率需求场景中表现出色。
　　AP50T10GM-HF 的热性能也十分出色，TDFN5x6 封装具有良好的散热能力，可有效降低工作温度，提高器件的稳定性和寿命。此外，该器件支持宽范围的栅极驱动电压（最高 ±20V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性。
　　最后，该 MOSFET 符合 RoHS 标准并采用无卤素材料制造，符合现代电子产品的环保要求，适用于绿色能源和可持续设计项目。

应用

AP50T10GM-HF 主要应用于需要高效率和高性能的电源管理系统中。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于同步整流，提高转换效率并减少热量产生，尤其适用于服务器、通信设备和工业电源。
　　在负载开关电路中，AP50T10GM-HF 可作为主开关器件，实现快速导通和关断，保护下游电路免受过载或短路的影响。其低导通电阻特性也使其适用于电池管理系统（BMS），在电动工具、储能系统和新能源汽车中用于控制电池充放电。
　　此外，该器件还可用于电机驱动、电源分配系统和高功率密度电源模块中。其优异的开关性能和热管理能力使其在高频开关电源中表现尤为出色，能够有效降低开关损耗并提高整体系统效率。
　　由于其封装形式为 TDFN5x6，具有良好的散热性能，因此在空间受限但需要高效散热的应用中也非常适合。