AP50T03GJ 时间：2025/9/14 14:00:28 阅读：6

AP50T03GJ 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等电路中。该器件采用先进的工艺制造，具备低导通电阻、高功率密度和良好的热性能，适用于各种中小型功率电子系统。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：30V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：50A（最大值）
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 3.2mΩ（Vgs=10V）
　　功率耗散 PD：113W（Tc=25°C）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

AP50T03GJ 具有低导通电阻（Rds(on)），可在高电流条件下实现较低的功率损耗，提高系统效率。
　　该 MOSFET 支持高达 50A 的连续漏极电流，适用于高性能功率转换应用。
　　其高耐压能力（Vds=30V）和宽工作温度范围确保其在恶劣环境中仍能稳定运行。
　　AP50T03GJ 采用 TO-252 封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于自动化装配流程。
　　该器件符合 RoHS 环保标准，适用于消费类、工业类及汽车电子等多种应用场景。

应用

AP50T03GJ 常用于同步整流、DC-DC 降压/升压转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源开关控制以及负载管理等场合。
　　其低 Rds(on) 和高电流能力使其成为高效率电源设计的理想选择。
　　在汽车电子中，AP50T03GJ 可用于车载充电器、LED 照明驱动和电动工具等应用。
　　此外，它也适用于服务器电源、网络设备和通信基站等高可靠性系统的功率管理。