时间：2025/9/12 12:25:48
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AP50T03GH是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Diodes公司生产。这种器件通常用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制应用。AP50T03GH采用先进的工艺技术，具备低导通电阻（RDS(ON)）、高耐压和大电流处理能力，适用于各种高功率密度设计场景。
类型：功率MOSFET
封装类型：TDFN
漏极-源极电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A（在25°C）
RDS(ON)：最大值为3.0mΩ（在VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
功耗：150W
封装尺寸：5x6mm
AP50T03GH具有低导通电阻，使其在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，能够在高频率开关应用中保持稳定性能。其TDFN封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热管理性能，有助于散热。AP50T03GH还具备高雪崩能量耐受能力，确保在突发负载或短路情况下器件的安全运行。由于其高可靠性和优异的电气性能，这款MOSFET适用于工业自动化、电信设备、服务器电源和电动车电子系统等高性能要求的领域。
AP50T03GH广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电源管理系统、工业控制设备、电池管理系统和电动车充电模块。此外，它也常用于服务器和电信设备的高效能电源供应单元中，以满足对高效率和高可靠性的需求。
SiM6686, IPB033N04NG, SQJQ124EP
