时间：2025/7/26 11:58:27
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AP4502GM是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能。该器件广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种中高功率电子设备中。AP4502GM采用小型化的DFN5x6封装，散热性能良好，适合在高密度PCB设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：8.7A（@25℃）
导通电阻(RDS(ON))：17mΩ（@VGS=10V）
最大功耗(PD)：3.4W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：DFN5x6
AP4502GM采用先进的Trench沟槽技术，使得其导通电阻极低，从而减少了导通损耗，提高了能效。该MOSFET的RDS(ON)在VGS=10V时仅为17mΩ，这在同级别器件中表现优异，有助于提高电源系统的效率。此外，其8.7A的连续漏极电流能力使其能够应对较大的负载需求，适用于高功率密度设计。
AP4502GM的DFN5x6封装不仅体积小巧，而且具备良好的散热性能，支持高密度PCB布局。该封装采用双侧散热焊盘，能够有效降低热阻，提高器件的热稳定性。此外，该MOSFET具备较高的雪崩耐受能力，能够在异常工作条件下保持稳定运行。
器件的栅极驱动电压范围为±20V，具备良好的栅极绝缘性能，防止过压损坏。其在高温下的稳定性能优异，适用于工业级和汽车电子应用。由于其优异的热性能和电气性能，AP4502GM在电源管理、电机控制、LED照明、电池管理系统等领域均有广泛应用。
AP4502GM广泛应用于多种电子系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达控制电路、LED驱动器、工业自动化设备以及汽车电子模块等。其优异的导通性能和热管理能力，使其成为高效率、高可靠性电源系统设计的理想选择。
SiSS14DN,TSDS3415,TSPMN4022NA
