AP4407GP-HF 时间：2025/8/7 15:01:11 阅读：23

AP4407GP-HF 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛用于电源管理和功率开关应用。这款器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于各种高效率电源转换系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：12A
　　最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：16mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷：22nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN2020-8（8引脚）
　　功率耗散：4.2W

特性

AP4407GP-HF 具有低导通电阻，使得在高电流条件下功率损耗降到最低，提高系统效率。其导通电阻在 Vgs=10V 时仅为 16mΩ，确保在大电流负载下保持稳定的性能。
　　该器件的最大漏极电流为 12A，漏源电压最大为 30V，适用于中等功率的电源转换和控制应用。其栅极电荷仅为 22nC，有助于降低开关损耗，提高响应速度。
　　AP4407GP-HF 采用 DFN2020-8 封装，具有良好的热管理性能，适用于空间受限的设计，同时提供较高的散热效率。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适合在各种恶劣环境下使用。
　　此外，该 MOSFET 的栅源电压范围为 ±20V，提供较高的驱动兼容性，可与多种控制 IC 和驱动器配合使用，增强系统设计的灵活性。

应用

AP4407GP-HF 常用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机驱动等应用。在电源管理系统中，该器件可作为高效功率开关，实现对负载的精确控制。由于其低导通电阻和高电流能力，AP4407GP-HF 也广泛应用于笔记本电脑、服务器电源、LED 照明驱动和工业自动化设备中。
　　此外，该 MOSFET 适用于高密度电源模块设计，如 POL（Point of Load）转换器和负载开关控制，能够有效提升整体系统效率并降低功耗。在电池管理系统中，AP4407GP-HF 可用于保护电路和充放电控制，确保系统的安全运行。