AP40N03S是一款由Diodes公司生产的N沟道MOSFET,常用于高频率开关应用中。该MOSFET具有低导通电阻和良好的热稳定性,适用于电源管理和负载开关等场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:40A
最大漏极-源极电压:30V
导通电阻(Rds(on)):0.023Ω
封装类型:TO-252
工作温度范围:-55°C至150°C
AP40N03S具备低导通电阻,使得其在高电流应用中能够保持较低的功率损耗,从而提高系统效率。此外,该器件的热稳定性良好,能够在较高温度下稳定工作,提高了整体系统的可靠性。其TO-252封装形式便于在PCB上安装和散热设计,适用于多种工业和消费类电子设备。
AP40N03S广泛应用于电源管理、直流-直流转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等领域。其低导通电阻和高电流能力使其在需要高效能和高可靠性的场合中表现出色。
IRF40N03S, FDP40N03S, STP40NF03L