时间：2025/12/25 13:45:22
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AP4028GEMT是一款由Diodes Incorporated生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列器件，采用双N沟道配置，专为高效率、低电压开关应用而设计。该器件集成两个独立的N沟道MOSFET于单一封装中，有助于节省PCB空间并提升系统集成度。AP4028GEMT适用于负载开关、电源管理模块、DC-DC转换器以及电池供电设备中的功率控制等场景。其先进的沟槽型技术提供了较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体能效。该器件采用1.8V逻辑电平兼容栅极驱动，使其能够直接由现代低电压微控制器或数字信号处理器驱动，无需额外的电平转换电路。AP4028GEMT采用小型化的SOT-26封装，具备良好的热性能和紧凑的外形尺寸，非常适合便携式电子设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端产品。器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足当前绿色电子产品制造的要求。在设计上，AP4028GEMT优化了开关速度与EMI之间的平衡，确保在高频工作条件下仍能保持稳定可靠的性能表现。
型号：AP4028GEMT
制造商：Diodes Incorporated
器件类型：双N沟道MOSFET阵列
漏源电压(VDS)：20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：4A（单通道）
脉冲漏极电流(IDM)：16A
导通电阻(RDS(on))：13mΩ（@ VGS=4.5V, ID=2A）
导通电阻(RDS(on))：17mθ（@ VGS=2.5V, ID=2A）
导通电阻(RDS(on))：20mΩ（@ VGS=1.8V, ID=2A）
阈值电压(VGS(th))：0.45V ~ 1.0V
输入电容(Ciss)：420pF（@ VDS=10V）
开关时间(上升/下降)：15ns / 10ns（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-26
AP4028GEMT采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，这种结构显著降低了器件的导通电阻，从而在大电流应用中有效减少功率损耗和发热。其低RDS(on)特性使得即使在小尺寸封装下也能实现较高的电流承载能力，特别适合用于电池供电系统中对能效要求严苛的应用场景。该器件支持1.8V逻辑电平驱动，意味着它可以直接连接到现代低电压控制芯片输出端，例如微控制器GPIO引脚，无需外加电平移位器或驱动电路，简化了系统设计复杂度并降低了整体成本。
双通道独立配置允许用户将两个MOSFET分别用于不同的功能模块，如一个作为主电源开关，另一个用于负载切换或背光控制，提升了设计灵活性。每个通道都具备良好的热隔离特性，在高负载运行时可避免相互热干扰。此外，AP4028GEMT具有快速的开关响应时间，上升和下降时间均处于纳秒级别，这使其能够在高频开关电源环境中高效工作，同时降低动态损耗。
器件内部经过优化的寄生参数设计有助于抑制开关过程中的振铃现象，改善电磁兼容性（EMC）表现。其SOT-26封装不仅体积小巧，还具备优良的散热性能，通过PCB焊盘即可实现有效的热传导。所有金属接触面均采用无铅镀层处理，符合环境友好型生产标准。AP4028GEMT还具备较强的抗静电能力（ESD保护），增强了在装配和使用过程中的可靠性。整体而言，这款器件结合高性能、小型化和易用性，是现代便携式电子产品中理想的功率开关解决方案。
AP4028GEMT广泛应用于需要高效、紧凑型功率开关的各种电子系统中。常见用途包括移动设备中的电池电源管理，例如智能手机和平板电脑内的负载开关控制，用于开启或关闭特定功能模块以节省电能。在DC-DC转换电路中，它可以作为同步整流器的一部分，提高转换效率并减少热量产生。由于其支持低电压逻辑驱动，因此非常适合与3.3V或1.8V逻辑接口协同工作的嵌入式系统，如微控制器单元（MCU）外围驱动电路。
该器件也常用于LED背光驱动电路中，作为电流控制开关元件，提供精确的开断控制能力。在便携式医疗设备、智能手表和其他可穿戴技术产品中，AP4028GEMT凭借其小尺寸和低功耗优势成为理想选择。此外，它还可用于USB电源开关、热插拔控制器、电机驱动模块以及各种需要双路独立控制的低功率开关场合。工业传感器节点、无线通信模块和IoT终端设备中也普遍采用此类高集成度MOSFET阵列来实现高效的电源路径管理。其宽泛的工作温度范围使其能在恶劣环境下稳定运行，适用于消费类电子、工业控制乃至部分汽车电子辅助系统。
DMG2302UKS-7
BSS138LT1G
FDMT66711
