时间：2025/12/29 14:15:48
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AP3P3R0MT 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于电源管理和负载开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热稳定性，适用于各种低电压、中等电流的开关控制场景。AP3P3R0MT 采用小型 SOT26 封装，适合在空间受限的 PCB 设计中使用。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：-30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-3A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=4.5V: 30mΩ（最大）
@Vgs=2.5V: 40mΩ（最大）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：SOT26
AP3P3R0MT 的核心特性在于其低导通电阻和高效的功率传输能力。该器件在 Vgs=4.5V 时 Rds(on) 最大为 30mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。
此外，AP3P3R0MT 在 Vgs=2.5V 时仍能保持较低的导通电阻（最大 40mΩ），使其适用于低电压栅极驱动电路，例如由 3.3V 或更低电压的微控制器直接控制。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在较高温度下保持稳定工作。其 SOT26 封装不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，适合在便携设备、电池供电系统以及 DC-DC 转换器等应用中使用。
AP3P3R0MT 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），提高了设计灵活性，同时具备较强的抗静电能力（ESD），增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性。
AP3P3R0MT 主要应用于电源管理系统中的负载开关、电池保护电路、DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）、热插拔电源控制以及各种低电压、中等电流的开关电路。
例如，在便携式电子产品中，AP3P3R0MT 可用于控制电池供电与主电源之间的切换，实现高效节能的电源管理；在服务器和通信设备中，它可作为热插拔控制开关，保护系统免受电流冲击；在电源适配器或 USB PD 电源管理模块中，该器件可作为功率开关，实现对负载的精确控制。
此外，AP3P3R0MT 也可用于电机驱动、LED 背光控制和继电器替代电路中。
Si2301DS, AO3401A, BSS84, FDV303P
