时间：2025/8/2 4:57:02
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AP3N9R5H是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于负载开关、电源管理和电池供电设备中。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热性能，适用于各种便携式和高密度电子设备。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-9.5A
导通电阻（RDS(ON)）：50mΩ @ VGS = -10V, 65mΩ @ VGS = -4.5V
功率耗散：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TO-252（DPAK）
AP3N9R5H是一款高性能的P沟道MOSFET，具有出色的电气特性和热稳定性。其低导通电阻使得在高电流应用中能够减少功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽技术，提高了电流处理能力并降低了导通电阻。此外，AP3N9R5H具备良好的抗雪崩能力和过温保护特性，确保在高应力工作条件下的稳定性和可靠性。
该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具有优良的散热性能，适用于表面贴装工艺，提高了制造效率和产品可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持-4.5V至-10V之间的多种驱动方案，适用于不同类型的控制电路。此外，AP3N9R5H还具有快速开关能力，适用于高频开关电源和负载开关应用，提供高效的电能管理解决方案。
AP3N9R5H适用于多种电子设备和系统，包括电源管理模块、电池供电设备、负载开关控制、DC-DC转换器、电机驱动电路以及工业自动化设备。其低导通电阻和高可靠性使其成为高性能电源管理系统中的理想选择。
Si4435BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF9Z24NPBF
