时间：2025/8/22 3:25:39
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AP3N028EN 是一款由 Diodes 公司（原 Alpha & Omega Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适合用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等高频率、高效率要求的电路设计中。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（在 Vgs=10V 时）
导通电阻（Rds(on)）：最大 2.8mΩ（在 Vgs=10V 时）
封装形式：PowerPAK? SO-8 双片封装（Dual片）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
AP3N028EN 的主要特性包括：采用先进的沟槽型 MOSFET 技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率；
其低 Rds(on) 特性使其在高电流应用中能够保持较低的温升，提高整体系统的稳定性；
该器件的栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 的 Vgs 工作电压，适用于多种驱动电路；
AP3N028EN 采用 PowerPAK? SO-8 双片封装，具备良好的热性能和电流承载能力，同时兼容标准的表面贴装工艺，便于 PCB 布局与制造；
此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压或电感负载切换情况下的可靠性。
AP3N028EN 主要应用于高效率同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、服务器电源、笔记本电脑适配器、电池管理系统、电机驱动电路以及各种需要高电流和低导通损耗的功率电子系统中。其高性能和紧凑封装使其成为高功率密度电源设计的理想选择。
SiSS128NQ, SQM128N10K3, AO4405
