类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻 RDS(on)：10.5mΩ @ VGS = 10V
　　栅极阈值电压 VGS(th)：2V ~ 4V
　　最大栅极电压：±20V
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

AP30P10GI-HF 具备一系列优异的电气和热性能，使其适用于多种功率应用。其主要特性包括：
　　? 低导通电阻（RDS(on)）：AP30P10GI-HF 的典型 RDS(on) 为 10.5mΩ，在 VGS = 10V 条件下，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　? 高电流承载能力：该 MOSFET 可以承受高达 30A 的连续漏极电流，适合高功率密度应用。
　　? 优异的热稳定性：采用 TO-252 封装，具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定工作温度。
　　? 快速开关特性：该器件具有低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），支持高频开关操作，减少开关损耗。
　　? 宽工作温度范围：可在 -55°C 至 175°C 温度范围内稳定工作，适应各种严苛环境条件。
　　? 高耐压能力：100V 的漏源电压额定值使其适用于多种中高压电源系统。
　　? 符合 RoHS 标准：AP30P10GI-HF 采用无铅环保封装，符合现代电子产品的环保要求。

AP30P10GI-HF 广泛应用于多个领域，主要包括：
　　? DC-DC 转换器：适用于同步整流和高效率降压/升压转换器设计。
　　? 电源管理模块：用于服务器、通信设备和工业控制系统中的电源分配和管理。
　　? 电机驱动电路：在电机控制和驱动电路中作为高效功率开关使用。
　　? 电池管理系统（BMS）：适用于电池充放电控制和保护电路。
　　? 负载开关和热插拔应用：用于高可靠性服务器和存储设备中的电源切换和保护。
　　? 电源适配器和充电器：提高转换效率并减少发热，适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源系统。

SiHF10N100E、IRF1010E、FDPF10N100、AP30P10GH-HF