时间：2025/7/14 16:30:20
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AP3032KTR-G1 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），专为高效率电源管理和负载开关应用设计。该器件采用小型化的 SOT26 封装，适用于空间受限的便携式电子产品和电池供电设备。AP3032KTR-G1 具有低导通电阻、快速开关特性和良好的热稳定性，使其成为理想的功率管理解决方案。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏极电流：-3A
最大漏源电压：-20V
最大栅源电压：±12V
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ @ Vgs = -4.5V；95mΩ @ Vgs = -2.5V；180mΩ @ Vgs = -1.5V
功率耗散：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT26
AP3032KTR-G1 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。在不同的栅极驱动电压下，它的 Rds(on) 表现良好，支持从 -4.5V 到 -1.5V 的宽范围操作，使得它可以在多种应用中使用，包括低压电源管理系统。
此外，该器件具有快速的开关性能，能够有效降低开关损耗，同时提供较高的可靠性和耐用性。其 SOT26 封装不仅节省空间，而且具备良好的热管理能力，确保在高电流条件下也能稳定运行。
AP3032KTR-G1 还具备出色的抗静电能力（ESD），增强了器件在生产、运输和实际使用过程中的可靠性。此外，该 MOSFET 的工作温度范围广泛，可在 -55°C 至 +150°C 之间正常工作，适应各种恶劣环境条件。
AP3032KTR-G1 广泛应用于便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及可穿戴设备等。由于其低导通电阻和高效的开关特性，常用于电池保护电路、DC-DC 转换器、负载开关控制以及电源路径管理。
Si2302DS, AO3401A, FDN340P, DMG2305UX
