AP2N7002K 时间：2025/5/7 14:45:40 阅读：7

AP2N7002K 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小尺寸封装，适用于空间受限的应用场景。其低导通电阻和高开关速度的特点使其成为便携式设备、电源管理模块以及电池供电系统的理想选择。AP2N7002K 的工作电压范围宽泛，能够满足多种电路设计需求。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：2.5A
　　导通电阻：0.65Ω
　　栅极电荷：8nC
　　功耗：1.1W
　　结温范围：-55℃ 至 150℃
　　封装类型：SOT-23

特性

AP2N7002K 提供了出色的电气性能，主要特性包括以下几点：
　　1. 低导通电阻：0.65Ω（典型值），可以有效降低功率损耗。
　　2. 高开关速度：快速的开启与关断时间，适合高频应用。
　　3. 小型化封装：采用 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
　　4. 宽电压范围：支持高达 30V 的漏源电压，适应性强。
　　5. 良好的热稳定性：能够在 -55℃ 至 150℃ 的结温范围内稳定工作。
　　6. 静态功耗低：有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　这些特性使得 AP2N7002K 成为众多低功耗、小型化电子产品的关键元件。

应用

AP2N7002K 广泛应用于各种需要高效功率切换的领域，主要包括：
　　1. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑等。
　　2. 开关模式电源（SMPS）：用于实现高效的 DC-DC 转换。
　　3. 电机驱动：在小型电机控制中作为开关元件。
　　4. 电池保护电路：防止过充或过放。
　　5. 信号切换：在多路复用器或信号隔离电路中使用。
　　6. 负载开关：用于动态调节负载状态。
　　其小巧的封装形式和高性能表现使其特别适合对体积和效率有严格要求的设计方案。