型号：AP2161DM8G-13
　　制造商：Diodes Incorporated
　　封装类型：SOIC-8
　　引脚数：8
　　输入电压范围：2.5V ~ 6.0V
　　输出电压：固定可选（典型值1.8V, 2.5V, 3.3V等，具体取决于后缀）
　　最大输出电流：300mA
　　压差电压：典型值110mV @ 300mA负载
　　静态电流：典型值75μA
　　关断电流：小于1μA
　　电源抑制比（PSRR）：60dB @ 1kHz（典型值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　调节类型：固定输出
　　保护功能：过流保护、过温保护
　　安装方式：表面贴装

AP2161DM8G-13具备多项关键特性，使其在同类LDO产品中脱颖而出。首先，其低静态电流设计（典型值仅为75μA）显著降低了待机功耗，特别适合用于电池供电的移动设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，有助于延长设备的续航时间。其次，该器件拥有极低的压差电压，在300mA满载条件下压差仅约110mV，这意味着即使输入电压接近输出电压时仍能维持稳定输出，提高了电源利用效率。
　　另一个重要特性是其出色的电源抑制比（PSRR），在1kHz频率下可达60dB以上，能够有效滤除来自输入电源的开关噪声或纹波干扰，确保为敏感的模拟电路（如ADC、DAC、传感器、音频放大器等）提供干净的供电电压。这对于提升系统信号完整性和整体性能至关重要。
　　AP2161DM8G-13还集成了全面的保护机制，包括内部热关断电路和逐级电流限制功能。当芯片因环境温度过高或长时间大电流运行导致结温超过安全阈值时，热保护机制会自动切断输出，防止永久性损坏；而电流限制则可在输出短路或过载时限制输出电流，增强系统的可靠性。
　　该器件采用SOIC-8封装，不仅体积小巧，便于PCB布局，而且具有较好的散热性能。通过合理的PCB铜箔设计，可以进一步提升其功率耗散能力。此外，AP2161DM8G-13无需外接补偿电容即可保持环路稳定，仅需一个小型陶瓷输出电容（通常为1μF）即可实现良好动态响应，简化了外围电路设计，降低了整体成本和占用面积。这些综合优势使得AP2161DM8G-13成为现代低功耗、高稳定性电源管理方案中的理想选择。

AP2161DM8G-13广泛应用于各类需要稳定低压电源的电子系统中。在消费类电子产品领域，它常被用于为微控制器单元（MCU）、数字信号处理器（DSP）、FPGA内核或I/O接口供电，尤其是在使用单节锂电池供电的手持设备中表现优异。由于其低噪声和高PSRR特性，也适用于为音频编解码器、麦克风前置放大器、摄像头模块等对电源纯净度要求较高的模拟前端电路提供偏置电压。
　　在工业控制与自动化系统中，AP2161DM8G-13可用于为传感器信号调理电路、精密测量仪器、PLC模块中的逻辑电路供电，确保在复杂电磁环境中仍能维持稳定的电压供应。同时，其宽输入电压范围和良好的温度稳定性使其能在恶劣工业环境下可靠运行。
　　在通信设备中，该LDO可用于为Wi-Fi模组、蓝牙芯片、RF收发器等无线模块提供干净的电源轨，减少电源噪声对射频性能的影响，提高通信质量与抗干扰能力。
　　此外，在嵌入式系统和物联网（IoT）终端设备中，AP2161DM8G-13凭借其低静态电流和小尺寸封装，成为电池长期供电场景下的优选稳压方案，例如智能门锁、环境监测节点、远程抄表装置等。总之，凡是需要高效、安静、可靠的低压电源转换场合，AP2161DM8G-13都能发挥出色的作用。

AP2161AM8G-13
　　MIC5205-3.3YM5-TR
　　TPS78233DDCR
　　XC6206P332MR-G