型号：AP20GT60SW
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：20A
　　脉冲漏极电流（IDM）：80A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：0.20Ω
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V, TJ = 110°C）：0.26Ω
　　栅极电荷（Qg typ）：65nC
　　输入电容（Ciss typ）：1900pF
　　输出电容（Coss typ）：110pF
　　反向恢复时间（trr typ）：45ns
　　二极管反向恢复电荷（Qrr typ）：24nC
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

AP20GT60SW具备多项先进电气与热力学特性，使其在中高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻显著降低了导通损耗，尤其是在大电流工作条件下，有助于提升系统整体能效。在600V耐压等级下实现200mΩ以下的RDS(on)，体现了AO Semi在高压MOSFET工艺上的技术优势。其次，该器件采用了优化的体二极管设计，具有较短的反向恢复时间（trr）和较低的反向恢复电荷（Qrr），有效减少了在硬开关或桥式拓扑中因二极管反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰（EMI），从而提高了系统的可靠性和稳定性。
　　此外，AP20GT60SW的栅极电荷（Qg）相对较低，仅为65nC左右，意味着驱动电路所需的驱动功率较小，有利于降低驱动芯片的负担并提升开关速度。这对于高频开关应用尤为重要，能够支持更高的PWM频率，减小磁性元件体积，提高功率密度。同时，该器件具备良好的热阻特性，TO-247封装提供了较大的焊接触点面积，便于安装散热器，确保在持续高负载运行时结温维持在安全范围内。
　　在可靠性方面，AP20GT60SW通过了严格的工业级认证，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和高压应力测试，确保在恶劣环境下的长期稳定性。其具备较高的雪崩能量承受能力（EAS），可在瞬态过压或电感负载突变情况下保护器件不被击穿，增强了系统的容错能力。器件还具有良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，减少误触发风险。总体而言，AP20GT60SW在性能、效率与可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效电源系统中的理想选择。

AP20GT60SW广泛应用于多种中高功率电力电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，常用于PFC（功率因数校正）升压电路或主变换器拓扑中，如临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）PFC，利用其高耐压与低导通损耗特性提升能效。在DC-DC转换器中，特别是在隔离式拓扑如半桥、全桥或LLC谐振变换器中，该器件可用于初级侧开关，实现高效的能量传输。此外，在光伏逆变器系统中，AP20GT60SW可用于DC-AC逆变桥臂，处理太阳能板输出的高压直流电并转换为交流电并网，其快速开关能力和低损耗特性有助于提升逆变效率。
　　在工业电机驱动应用中，该器件可用于中小功率变频器或伺服驱动器的功率模块中，控制电机的启停与调速。由于其具备良好的动态响应和热稳定性，能够在频繁启停和负载波动的工况下稳定运行。在照明电源领域，特别是大功率LED驱动电源中，AP20GT60SW可用于有源PFC电路，满足高功率因数和低谐波失真的要求。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、电池充电器、感应加热设备等需要高电压、高效率开关器件的场合。得益于其TO-247封装的通用性，AP20GT60SW易于集成到现有设计中，便于替换传统高压MOSFET，提升系统性能。

APT20GT60BDQ
　　STW20NM50ND
　　FQA20N60ETM
　　K20A60D