型号：AP2004SG-13
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：42mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.6V ~ -1.0V（典型值约-0.8V）
　　输入电容（Ciss）：470pF（@ VDS = 10V）
　　输出电容（Coss）：240pF（@ VDS = 10V）
　　反向传输电容（Crss）：60pF（@ VDS = 10V）
　　栅极电荷（Qg）：10nC（@ VGS = -4.5V）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：26ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

AP2004SG-13具备出色的电气性能和紧凑的封装设计，使其成为众多低压电源管理应用的理想选择。其P沟道结构支持高端开关配置，在电池供电系统中可有效实现电源通断控制而无需复杂的驱动电路。该器件的最大漏源电压为-20V，能够安全地应用于常见的3.3V或5V系统中，并留有足够的电压裕量以应对瞬态过压情况。在栅极驱动方面，AP2004SG-13的阈值电压范围为-0.6V至-1.0V，确保在低电压逻辑信号下也能可靠开启，尤其适合与3.3V或更低电压的微控制器I/O口直接接口，减少了对外部驱动元件的需求。
　　该MOSFET在VGS = -4.5V时的典型导通电阻仅为32mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。即使在较低的栅极驱动电压如-2.5V下，其RDS(on)也仅为42mΩ，表现出优异的低电压驱动能力。这对于依赖电池运行且需延长续航时间的应用至关重要。此外，其连续漏极电流可达-4.4A，脉冲电流能力高达-12A，表明其在短时高负载条件下仍具备良好的承载能力。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用，而且具有良好的散热性能，配合合理的PCB铜箔设计可有效将热量传导出去。器件的输入电容为470pF，输出电容240pF，反向传输电容60pF，这些参数有助于评估其开关速度和高频响应特性。较小的栅极电荷（Qg = 10nC）意味着驱动电路所需的能量较少，进一步降低动态功耗。体二极管的反向恢复时间trr为26ns，相对较快，有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰。
　　AP2004SG-13的工作结温范围从-55°C到+150°C，覆盖了绝大多数工业与消费类应用场景，同时具备良好的热稳定性。器件符合RoHS环保标准，并通过了相关可靠性测试，确保长期使用的安全性与稳定性。总体而言，该MOSFET在性能、尺寸和成本之间实现了良好平衡，广泛适用于各类高效、小型化的电源控制系统。

AP2004SG-13广泛应用于多种低压直流电源管理系统中，尤其适合对空间和能效有严格要求的便携式电子设备。常见应用包括移动电话、平板电脑、笔记本电脑和其他手持式设备中的电池电源开关与负载切换控制。在这些系统中，它可用于启用或禁用特定功能模块的供电，例如显示屏背光、无线通信模块或外设接口，从而实现精确的功耗管理以延长电池寿命。
　　此外，该器件常被用作高端开关来构建简单的电压极性反转保护电路，防止因电池反接导致的设备损坏。在DC-DC转换器拓扑中，AP2004SG-13也可作为同步整流器或辅助开关元件使用，特别是在非隔离式降压变换器中作为上管开关，利用其低导通电阻特性提升整体转换效率。
　　在热插拔电路设计中，AP2004SG-13凭借其可控的开关特性和快速响应能力，可用于限制浪涌电流，避免系统电压骤降。同时，由于其具备良好的瞬态响应能力和较高的脉冲电流承载能力，也适用于驱动小型电机、继电器或LED阵列等感性或容性负载。
　　其他典型应用场景还包括USB端口的电源控制、多电源系统中的电源选择开关（Power MUX）、以及各种嵌入式控制系统中的固态继电器替代方案。得益于SOT-23的小型封装，该器件特别适合高密度贴装的印刷电路板设计，广泛服务于消费电子、工业控制、医疗设备和物联网终端等领域。

AO3415
　　Si2301DS
　　FDMC86263
　　BSS84