时间：2025/8/4 18:57:57
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AP15NA7R4CDT 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等应用中。该器件采用先进的工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高可靠性和良好的热稳定性，适用于便携式电子设备、计算机电源系统、电池供电设备等场合。AP15NA7R4CDT 采用 SOT26 封装（小型贴片封装），便于表面贴装和节省 PCB 空间。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-15V
栅源电压（VGS）：-8V
连续漏极电流（ID）：-1.5A
导通电阻（RDS(on)）：最大 750mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻（RDS(on)）：最大 950mΩ @ VGS = -2.5V
功率耗散（PD）：1.0W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOT26
AP15NA7R4CDT 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其 P 沟道结构适用于高边开关应用，能够在低电压条件下稳定工作，适合用于 1.5V 至 5V 的电源系统。该器件具有较高的热稳定性，能够在较高的温度环境下运行而不会出现显著的性能下降。此外，SOT26 封装提供了良好的散热性能，同时保持较小的封装尺寸，非常适合空间受限的应用。AP15NA7R4CDT 还具备良好的抗静电（ESD）能力，能够在制造和使用过程中提供更高的可靠性。
这款 MOSFET 设计用于在高频率开关应用中表现出色，支持快速的开关速度，从而减少开关损耗。其栅极驱动电压范围较宽，支持从 -2.5V 到 -4.5V 的驱动电压，兼容多种控制器和驱动电路。此外，该器件的封装符合 RoHS 环保标准，适合用于符合环保要求的设计中。由于其低功耗和高性能特性，AP15NA7R4CDT 在电源管理系统、电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关等应用中得到了广泛应用。
AP15NA7R4CDT 主要用于需要高效、低功耗、小型化设计的电源管理电路中。常见的应用包括负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、便携式电子产品、计算机电源、LED 驱动电路以及各种低电压功率开关应用。其高可靠性使其非常适合用于对稳定性和寿命有较高要求的工业和消费类电子产品中。
Si2301DS、DMG2305UX、AO4407A、TPC8103-H
