AP139-35WL-7 时间：2025/12/26 11:07:53 阅读：11

AP139-35WL-7是一款由Diodes Incorporated生产的通用N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换和开关应用设计。该器件采用先进的沟槽技术制造，能够在低电压应用中提供优异的导通性能和开关特性。其封装形式为SOT-23（小外形晶体管封装），属于表面贴装型，适用于空间受限的便携式电子产品和高密度PCB布局。由于其小型化封装与良好的热性能，AP139-35WL-7广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理电路以及各类低功耗开关电源系统中。该MOSFET具有较低的栅极电荷和输入电容，有助于减少驱动损耗并提升整体能效。此外，其阈值电压适中，便于与逻辑信号直接接口，适合由微控制器或PWM控制器直接驱动。产品符合RoHS环保标准，并具备可靠的可靠性测试数据支持，在消费电子、工业控制及通信设备中均有广泛应用。

参数

型号：AP139-35WL-7
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：2.3A @ 25°C
　　导通电阻（RDS(on)）：85mΩ @ VGS = 10V；100mΩ @ VGS = 4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.3V，范围1.0V ~ 2.0V
　　栅极电荷（Qg）：典型值6.5nC @ VDS = 15V, ID = 1.15A
　　输入电容（Ciss）：典型值220pF @ VDS = 15V, VGS = 0V
　　功耗（Ptot）：最大1.25W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

AP139-35WL-7采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，具备出色的导通特性和开关响应能力。其低导通电阻在同类SOT-23封装器件中表现优异，尤其是在VGS = 4.5V的工作条件下仍能保持较低的RDS(on)，这使其非常适合由3.3V或5V逻辑电源直接驱动的应用场景。这种特性显著提升了在低压供电环境下的能效水平，减少了传导损耗，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），从而有效降低了开关过程中的驱动损耗和交叉导通风险，提高了高频开关应用中的整体效率。对于DC-DC降压变换器、同步整流电路或负载开关等需要快速开关动作的场合，这一优势尤为突出。同时，其输入电容较小，有助于减少来自控制信号源的负载，使驱动电路更加简洁高效。
　　AP139-35WL-7的阈值电压设计合理，典型值仅为1.3V，确保在低电压启动时即可实现有效的沟道形成，避免因开启延迟导致的瞬态失控问题。这对于需要精确时序控制的电源管理系统至关重要。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，结温可达+150°C，满足严苛工况下的长期运行需求。
　　得益于SOT-23封装的小尺寸与良好的散热设计，该器件可在紧凑型印刷电路板上实现高密度布局，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及其他便携式电子产品中。其无铅、无卤素的设计也符合现代绿色电子产品的环保要求。整体而言，AP139-35WL-7是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，兼顾了效率、尺寸与成本之间的平衡，是中小功率开关应用的理想选择。

应用

AP139-35WL-7主要应用于需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品的电源管理模块，如智能手机、智能手表、蓝牙耳机等设备中的电池充电回路和负载开关控制。在这些应用中，该MOSFET用于实现对不同功能模块的供电通断，以降低待机功耗并提高能源利用率。
　　此外，它也被广泛用于DC-DC转换器，特别是在非隔离式降压（Buck）拓扑结构中作为同步整流开关或主开关使用。其低导通电阻和快速开关特性有助于提升转换效率，减少发热，特别适合用于低电压、中等电流输出的电源方案。例如，在主板上的辅助电源轨、FPGA或MCU的核心供电单元中都能见到此类器件的身影。
　　工业控制领域中，AP139-35WL-7可用于传感器电源切换、LED驱动电路或小型继电器驱动接口，利用其低驱动门槛和稳定性能实现精准控制。在通信设备中，常用于PoE（以太网供电）终端的小信号开关或电源路径管理。
　　由于其SOT-23封装易于自动化贴片生产，因此非常适合大批量制造场景。无论是消费电子还是嵌入式系统，只要涉及低电压、中等电流的开关控制任务，AP139-35WL-7都能提供稳定可靠的解决方案。其综合性能使其成为许多设计师在替代分立晶体管或更大型MOSFET时的优选器件。