类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-17.6A
　　导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：60mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　栅极电荷（Qg）：10nC @ VDS = -10V, ID = -2.2A
　　输入电容（Ciss）：420pF @ VDS = -10V
　　反向恢复时间（trr）：不适用（非体二极管主导应用）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：SOT-23
　　安装类型：表面贴装型

AP139-28WG-7采用先进的沟槽MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少导通损耗，提高系统的整体效率。其典型RDS(on)仅为45mΩ（在VGS = -4.5V条件下），即使在低栅压驱动下也能维持较低的导通阻抗，确保在电池供电或低压控制系统中依然具备出色的性能表现。这种低RDS(on)特性使得器件能够在大电流负载下有效散热，避免过热问题，提升系统可靠性。同时，由于采用了优化的芯片结构，该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg = 10nC），有助于加快开关速度，降低开关损耗，特别适用于高频DC-DC转换器、同步整流和快速开关负载的应用场景。
　　该器件的P沟道设计使其在用于高边开关时无需额外的电平移位电路，简化了驱动设计并节省外围元件成本。当作为开关使用时，仅需将栅极拉低即可实现导通，控制逻辑简单直观。此外，AP139-28WG-7具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气参数，适用于工业级温度范围（-55°C至+150°C），满足严苛环境下的运行需求。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具有较好的热传导性能，可通过PCB走线进行有效散热。该封装还支持自动化贴片生产，适用于大规模制造流程。
　　AP139-28WG-7具备一定的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压情况下保护自身不受损坏，增强了在电源突变或感性负载切换过程中的鲁棒性。其内置的体二极管虽然不是主要功能部分，但在某些拓扑结构中可提供续流路径，进一步提升系统安全性。此外，该器件符合RoHS指令要求，不含铅和有害物质，符合当前绿色环保电子产品的趋势。综合来看，AP139-28WG-7凭借其低导通电阻、快速开关特性、紧凑封装和高可靠性，广泛应用于便携式设备电源管理、LED驱动、USB电源开关、电池保护电路以及小型电机控制等领域，是一款极具竞争力的P沟道MOSFET解决方案。

AP139-28WG-7广泛应用于各类低电压、中等电流的电源开关与功率控制场合。常见用途包括便携式电子设备中的电池供电管理，如智能手机、平板电脑和移动电源中的负载开关，用于控制不同模块的上电时序以降低待机功耗。在DC-DC转换电路中，该器件可用于同步整流或高边开关配置，尤其适用于由控制器直接驱动的低压系统，因其P沟道结构无需复杂驱动电路，可简化设计并降低成本。此外，AP139-28WG-7也常用于USB接口的电源开关，为外设提供过流保护和热插拔控制功能，防止短路或异常负载对主电源造成影响。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于继电器驱动、小型直流电机的方向控制或启停开关，利用其快速响应能力和较高电流承载能力实现精确控制。在LED照明应用中，它可以作为恒流源的通断开关，配合PWM信号调节亮度，适用于背光控制或指示灯驱动。由于其SOT-23封装的小型化优势，AP139-28WG-7非常适合空间受限的高密度印刷电路板设计，例如穿戴式设备、物联网终端和无线传感器节点等。另外，该器件也可用于热插拔电路中，作为电源域隔离开关，确保系统在模块更换过程中不会产生电流冲击。总之，凭借其高效率、小尺寸和高可靠性，AP139-28WG-7在消费电子、工业自动化、通信设备和汽车电子辅助系统中均有广泛应用前景。

AO3415
　　Si2301DS
　　FDMC7682