AP119 时间：2025/8/22 9:17:41 阅读：24

AP119 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种电源管理与功率控制应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和较高的效率，适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理系统。AP119 提供 SOT23 封装形式，便于在紧凑型电路中使用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：12V
　　最大连续漏极电流（Id）：5.6A（在 25°C 下）
　　导通电阻（Rds(on)）：24mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT23

特性

AP119 采用先进的沟槽 MOSFET 技术，具备非常低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。这种低导通电阻特性使其在高电流应用中表现出色，适用于需要高效率的电源转换器和负载开关设计。此外，AP119 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 12V 的栅极驱动电压，使其适用于多种控制电路。AP119 的 SOT23 封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，适合用于高密度 PCB 设计。其高可靠性、低功耗和出色的热性能使其成为便携式设备、电源适配器、电池管理系统等应用的理想选择。