时间：2025/12/24 17:16:01
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AP01N60P是一款由友顺科技（UTC）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高电压和高功率的应用场景。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优良的开关性能，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理以及负载开关等应用。其封装形式为TO-220，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：1A
导通电阻（Rds(on)）：5.5Ω（典型值）
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
AP01N60P具备多项优异特性，包括高耐压、低导通电阻、良好的热稳定性以及快速开关能力。其低Rds(on)特性有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的功率耗散能力，适用于需要长时间高负载工作的应用场景。AP01N60P的栅极驱动电压范围较宽，支持更灵活的电路设计。同时，其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。
该MOSFET还具备较强的抗过载和短路能力，能够在复杂电气环境下保持稳定运行。由于其高可靠性和优良的电气性能，AP01N60P广泛用于工业控制、电源供应器和消费类电子产品中。
AP01N60P常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关、LED照明驱动、电池管理系统（BMS）以及各种工业自动化设备中。其高耐压和低导通电阻特性使其在高效率电源转换和功率控制应用中表现出色。
1. 2SK2545
2. IRF740
3. FQP1N60C
4. STP1N60DM2
