AOZ8030DIL是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有极低的导通电阻和快速开关能力,广泛应用于电源管理领域,如DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路等。其小型化的封装设计使得它非常适合空间受限的应用场景。
型号:AOZ8030DIL
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:SOT-23
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):2.9A(@Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):70mΩ(@Vgs=4.5V),130mΩ(@Vgs=2.5V)
总功耗(Ptot):640mW(@Tamb=25℃)
工作温度范围:-55℃至+150℃
AOZ8030DIL具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻Rds(on),在不同Vgs条件下均表现出色,有助于降低功率损耗。
2. 快速开关速度,适合高频应用场合。
3. 小尺寸SOT-23封装,节省PCB板空间。
4. 高度可靠的性能和稳定性,适用于多种电源管理场景。
5. 宽泛的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
AOZ8030DIL主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和开关功能。
2. 移动设备中的负载开关,如智能手机、平板电脑等。
3. DC-DC转换器模块,提供高效的功率转换。
4. 电池管理系统(BMS),用于电池充放电控制及过流保护。
5. 各类便携式电子设备中的电源路径管理。
6. 信号电平转换和隔离驱动等辅助电路设计。
AOZ8031DIQ, BSS138, SI2302DS