型号：AOWF14N50
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：14A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.52Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1050pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：典型值190pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：约78ns
　　最大功耗（Pd）：150W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

AOWF14N50具备优异的电气特性和可靠性，其核心特性之一是高击穿电压与低导通电阻的结合，使其在500V应用中表现出色。该MOSFET在Vgs=10V时的典型Rds(on)为0.52Ω，这一数值在同类高压器件中处于较优水平，有助于降低导通期间的I2R损耗，提高电源系统的整体效率。同时，其最大连续漏极电流可达14A，支持中等功率级别的负载需求，适用于反激式、正激式等多种拓扑结构的电源设计。
　　另一个显著特点是其良好的开关性能。得益于较低的输入电容（Ciss）和输出电荷（Qoss），AOWF14N50在高频开关应用中可实现快速的栅极驱动响应，减少开关延迟和能量损耗。这对于提升开关电源的工作频率、缩小磁性元件体积具有重要意义。此外，器件的栅极电荷（Qg）相对较低，减少了驱动电路的功耗需求，有利于简化驱动设计并提升系统能效。
　　热性能方面，AOWF14N50采用TO-220封装，具有较低的热阻（Rth j-a约为83℃/W），可在自然对流条件下有效散发热量。其最大结温达150℃，确保在高温环境下仍能稳定运行。器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载关断过程中吸收一定的能量而不损坏，提高了系统在异常工况下的安全性。
　　该MOSFET还具备良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，减少了误触发和电磁干扰的风险。其体二极管具有较快的反向恢复特性，降低了反向恢复电流尖峰，有助于抑制电压振荡和EMI问题。这些综合特性使AOWF14N50成为工业电源、照明电源、家电控制板等领域中的优选器件。

AOWF14N50广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于需要500V耐压等级的场合。典型应用包括AC-DC开关电源适配器、离线式反激变换器、LED恒流驱动电源、PC电源模块以及工业控制电源单元。在这些应用中，AOWF14N50作为主开关管使用，承担能量传递和电压变换的核心功能，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升转换效率并降低温升。
　　在DC-DC变换器中，特别是在升压（Boost）和半桥拓扑结构中，AOWF14N50可用于实现高效的电压调节和功率传输。其高耐压能力使其适用于输入电压波动较大的环境，例如太阳能逆变器前端或电池管理系统中的功率控制环节。此外，在电机驱动应用中，该器件可用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为高速开关元件控制电流方向和通断时序。
　　在家用电器领域，如空调、洗衣机、微波炉等设备的变频控制模块中，AOWF14N50可用于功率因数校正（PFC）电路，提升电网侧的电能质量。其稳定的高温工作性能和抗干扰能力，保障了家电产品在长时间运行下的可靠性。同时，该器件也适用于UPS不间断电源、充电器、电动工具电源等消费类和工业类产品。
　　由于其符合RoHS标准且封装成熟，AOWF14N50易于集成到自动化生产线中，适合大规模量产使用。结合适当的散热设计和PCB布局优化，可在多种复杂电磁环境中稳定运行，满足现代电子设备对高效、节能、小型化的需求。

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