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AOTF9N50 FDPF10N50FT 发布时间 时间:2025/8/25 0:55:05 查看 阅读:16

AOTF9N50 和 FDPF10N50FT 是两款常见的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理、功率转换和高电压应用中。这两款器件都设计用于提供高效率、低导通电阻和快速开关性能。AOTF9N50由Alpha and Omega Semiconductor制造,而FDPF10N50FT则由Fairchild Semiconductor(现为onsemi的一部分)制造。它们通常用于DC-DC转换器、电机控制、开关电源(SMPS)和其他需要高耐压和高效能的电路中。

参数

AOTF9N50:
  漏源电压 Vds: 500V
  漏极电流 Id: 9A
  导通电阻 Rds(on): 0.75Ω(最大值)
  栅极电压 Vgs: ±20V
  功率耗散 Pd: 40W
  FDPF10N50FT:
  漏源电压 Vds: 500V
  漏极电流 Id: 10A
  导通电阻 Rds(on): 0.58Ω(最大值)
  栅极电压 Vgs: ±20V
  功率耗散 Pd: 45W

特性

AOTF9N50:
  该器件采用TO-220封装,具有良好的热性能和可靠性。其主要特性包括低导通电阻、高电流能力和出色的开关性能。该MOSFET适用于广泛的电源管理应用,包括开关电源、DC-DC转换器和负载开关。此外,AOTF9N50具有低栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗并提高系统效率。它还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。
  FDPF10N50FT:
  这款MOSFET采用TO-220F封装,具备较低的导通电阻和更高的电流承载能力。它具有快速恢复体二极管,适用于高频率开关应用。FDPF10N50FT的低Rds(on)特性使其在导通状态下产生较少的功率损耗,从而提高整体系统效率。该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在突发负载或短路情况下保持稳定运行。此外,其封装设计有助于良好的散热性能,适用于工业电源、电机驱动和逆变器等应用。

应用

AOTF9N50:
  常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器、UPS系统和工业控制设备。
  FDPF10N50FT:
  适用于高频开关电源、电机控制器、逆变器、光伏系统和电动车充电设备。

替代型号

AOTF9N50的替代型号包括STF9N50M、FDPF9N50、IRFPC50。FDPF10N50FT的替代型号包括STP10NK50Z、IRFP460LC、FQP10N50C。

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