时间：2025/8/25 0:55:05
阅读：25
AOTF9N50 和 FDPF10N50FT 是两款常见的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理、功率转换和高电压应用中。这两款器件都设计用于提供高效率、低导通电阻和快速开关性能。AOTF9N50由Alpha and Omega Semiconductor制造，而FDPF10N50FT则由Fairchild Semiconductor（现为onsemi的一部分）制造。它们通常用于DC-DC转换器、电机控制、开关电源（SMPS）和其他需要高耐压和高效能的电路中。
AOTF9N50:
漏源电压 Vds: 500V
漏极电流 Id: 9A
导通电阻 Rds(on): 0.75Ω（最大值）
栅极电压 Vgs: ±20V
功率耗散 Pd: 40W
FDPF10N50FT:
漏源电压 Vds: 500V
漏极电流 Id: 10A
导通电阻 Rds(on): 0.58Ω（最大值）
栅极电压 Vgs: ±20V
功率耗散 Pd: 45W
AOTF9N50:
该器件采用TO-220封装，具有良好的热性能和可靠性。其主要特性包括低导通电阻、高电流能力和出色的开关性能。该MOSFET适用于广泛的电源管理应用，包括开关电源、DC-DC转换器和负载开关。此外，AOTF9N50具有低栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并提高系统效率。它还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
FDPF10N50FT:
这款MOSFET采用TO-220F封装，具备较低的导通电阻和更高的电流承载能力。它具有快速恢复体二极管，适用于高频率开关应用。FDPF10N50FT的低Rds(on)特性使其在导通状态下产生较少的功率损耗，从而提高整体系统效率。该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发负载或短路情况下保持稳定运行。此外，其封装设计有助于良好的散热性能，适用于工业电源、电机驱动和逆变器等应用。
AOTF9N50:
常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、UPS系统和工业控制设备。
FDPF10N50FT:
适用于高频开关电源、电机控制器、逆变器、光伏系统和电动车充电设备。
AOTF9N50的替代型号包括STF9N50M、FDPF9N50、IRFPC50。FDPF10N50FT的替代型号包括STP10NK50Z、IRFP460LC、FQP10N50C。
