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AOSS32334C 发布时间 时间:2025/5/21 21:33:00 查看 阅读:5

AOSS32334C是由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种高效能电源管理应用。其封装形式为SOT-23-3L,体积小巧,适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:3.8A
  导通电阻:135mΩ
  栅极电荷:4nC
  总电容:35pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AOSS32334C具有低导通电阻,能够显著减少传导损耗,从而提高效率。此外,它的高开关速度使其非常适合于高频开关应用。其小型化的SOT-23-3L封装进一步增强了其在便携式设备中的应用潜力。该器件还具备良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作条件下保持性能。
  主要特性包括:
  1. 超低导通电阻确保高效率
  2. 高开关频率支持
  3. 小型化封装节省PCB面积
  4. 宽工作温度范围适应多种环境
  5. 符合RoHS标准,绿色环保

应用

AOSS32334C广泛应用于消费类电子、工业控制以及通信设备中。典型应用场景包括DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动以及多相电源系统等。由于其高效的性能和紧凑的封装,特别适合于智能手机、平板电脑以及其他便携式电子设备中的电源管理模块。

替代型号

AOSS1033D
  IRLR7843
  FDMC8820

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AOSS32334C参数

  • 现有数量31,146现货
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)3,000 : ¥0.75127卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)20 毫欧 @ 6.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)600 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.3W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳3-SMD,SOT-23-3 变式