时间：2025/5/20 11:21:25
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AOSD21313C 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，由 Alpha and Omega Semiconductor (AOS) 生产。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适合在高频应用中使用。
其封装形式为 TO-263-3，适用于功率转换、电机驱动、负载切换和其他功率管理场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：55nC
总电容：2550pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
AOSD21313C 的主要特性包括低导通电阻，能够显著降低传导损耗，提高效率；具备快速开关能力，适合高频应用；高雪崩能量能力使其能够在严苛条件下可靠运行；同时拥有强大的散热性能和稳定性，可承受较宽的工作温度范围。
此外，它还支持超低的 Qg 和 Coss，从而优化了动态性能，并且采用了坚固耐用的封装设计以确保长期可靠性。
这款 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器、同步整流电路、电机驱动器、电池保护电路、工业电源以及汽车电子系统等领域。
由于其出色的性能表现，AOSD21313C 成为了许多高效率、高密度功率转换设计的理想选择。
AOND21313C, IRFZ44N, FDP55N06L
