时间：2025/7/23 0:36:11
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AOS3729A-T42是一款由Alpha and Omega Semiconductor（AOS）制造的高性能双N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和高可靠性等特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等应用。该MOSFET采用DFN5x6封装形式，具备良好的热性能和空间利用率，适合在紧凑型电路设计中使用。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8.7A @ 25°C
导通电阻(Rds(on))：18mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on))：25mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：DFN5x6
AOS3729A-T42具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其双N沟道MOSFET结构使其能够同时处理两个独立的高电流路径，适用于多相电源转换和并联操作。其次，该器件的导通电阻非常低，在Vgs=10V时仅为18mΩ，在Vgs=4.5V时为25mΩ，从而减少了导通损耗，提高了能效。
此外，该MOSFET的漏源电压额定值为30V，能够在中低电压功率转换应用中提供足够的安全裕度。栅源电压容限为±20V，确保了栅极驱动电路的兼容性和稳定性。在连续漏极电流方面，该器件在25°C下可支持高达8.7A的电流，适用于中高功率需求的应用场景。
AOS3729A-T42广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池供电设备以及工业自动化控制系统。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于高效能转换和功率开关应用。此外，该器件也适用于需要高可靠性和高效率的消费类电子产品、通信设备以及汽车电子系统。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410A, AO4406A
