AONX36322 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 公司生产的高性能、低导通电阻的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有出色的开关特性和低功耗性能,适用于各种高效能功率转换和负载切换应用。
该 MOSFET 的设计目标是满足消费电子、工业设备以及通信系统等领域的高效率和紧凑设计需求。其封装形式通常为 LFPAK56D(PowerFLAT 5x6),支持表面贴装技术,便于自动化生产和高密度电路板布局。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:18A
导通电阻:1.2mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷:27nC(典型值)
开关速度:快速开关
工作结温范围:-55℃至+175℃
AONX36322 提供了极低的导通电阻以减少传导损耗,同时保持较低的栅极电荷以实现高效的开关操作。这些特点使得该器件非常适合用于降压转换器、负载开关、电机驱动以及其他需要高频开关的应用场景。
其先进封装设计提供了优越的热性能和电气性能,同时具备较小的占位面积,非常适合空间受限的设计。此外,该 MOSFET 还具有优异的雪崩能力和抗静电能力(ESD),从而提高了系统的可靠性和鲁棒性。
AONX36322 广泛应用于消费类电子产品中的 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理模块以及便携式设备的电源管理单元。
在工业领域,它可用于电机控制、LED 驱动器和电信设备中的电源转换与保护电路。由于其卓越的性能和可靠性,该器件还适用于汽车电子中的非关键功能组件,例如车身控制模块或辅助电源电路。
AOXM16322
AONX36320
IRL36322