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AONX36322 发布时间 时间:2025/5/10 12:50:14 查看 阅读:7

AONX36322 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 公司生产的高性能、低导通电阻的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有出色的开关特性和低功耗性能,适用于各种高效能功率转换和负载切换应用。
  该 MOSFET 的设计目标是满足消费电子、工业设备以及通信系统等领域的高效率和紧凑设计需求。其封装形式通常为 LFPAK56D(PowerFLAT 5x6),支持表面贴装技术,便于自动化生产和高密度电路板布局。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:1.2mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:27nC(典型值)
  开关速度:快速开关
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

AONX36322 提供了极低的导通电阻以减少传导损耗,同时保持较低的栅极电荷以实现高效的开关操作。这些特点使得该器件非常适合用于降压转换器、负载开关、电机驱动以及其他需要高频开关的应用场景。
  其先进封装设计提供了优越的热性能和电气性能,同时具备较小的占位面积,非常适合空间受限的设计。此外,该 MOSFET 还具有优异的雪崩能力和抗静电能力(ESD),从而提高了系统的可靠性和鲁棒性。

应用

AONX36322 广泛应用于消费类电子产品中的 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理模块以及便携式设备的电源管理单元。
  在工业领域,它可用于电机控制、LED 驱动器和电信设备中的电源转换与保护电路。由于其卓越的性能和可靠性,该器件还适用于汽车电子中的非关键功能组件,例如车身控制模块或辅助电源电路。

替代型号

AOXM16322
  AONX36320
  IRL36322

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AONX36322参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥6.61325卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N 沟道(双)非对称型
  • FET 功能标准
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)21A(Ta),55A(Tc),38A(Ta),85A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.95mOhm @ 20A, 10V, 1.35mOhm @ 20A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA,1.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25nC @ 10V,100nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1145pF @ 15V,4175pF @ 15V
  • 功率 - 最大值3.5W(Ta),24W(Tc),3.5W(Ta),52W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)